是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | TO-247 | 包装说明: | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
针数: | 3 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
风险等级: | 5.91 | Is Samacsys: | N |
最大集电极电流 (IC): | 24 A | 集电极-发射极最大电压: | 600 V |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 门极发射器阈值电压最大值: | 5 V |
门极-发射极最大电压: | 20 V | JEDEC-95代码: | TO-247 |
JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 | JESD-609代码: | e0 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 120 W | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | Insulated Gate BIP Transistors | 表面贴装: | NO |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | MOTOR CONTROL | 晶体管元件材料: | SILICON |
标称断开时间 (toff): | 295 ns | 标称接通时间 (ton): | 51 ns |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
STGW15H120DF2 | STMICROELECTRONICS |
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1200 V、15 A高速沟槽栅场截止H系列IGBT | |
STGW15H120F2 | STMICROELECTRONICS |
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1200 V、15 A高速沟槽栅场截止H系列IGBT | |
STGW15M120DF3 | STMICROELECTRONICS |
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1200 V、15 A沟槽栅场截止低损耗M系列IGBT | |
STGW19NC60H | STMICROELECTRONICS |
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19 A - 600 V - very fast IGBT | |
STGW19NC60HD | STMICROELECTRONICS |
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19 A - 600 V - very fast IGBT | |
STGW19NC60W | STMICROELECTRONICS |
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Ultra fast "W" series | |
STGW19NC60WD | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 600V - 19A - TO-220 - TO-247 Ultra | |
STGW20H60DF | STMICROELECTRONICS |
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600 V、20 A高速沟槽栅场截止IGBT | |
STGW20H65FB | STMICROELECTRONICS |
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650 V、20 A高速沟槽栅场截止HB系列IGBT | |
STGW20IH125DF | STMICROELECTRONICS |
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1250 V、20 A IH系列沟槽栅场截止IGBT |