是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | TO-247 | 包装说明: | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
针数: | 3 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.85 |
Is Samacsys: | N | 最大集电极电流 (IC): | 40 A |
集电极-发射极最大电压: | 600 V | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
门极发射器阈值电压最大值: | 5 V | 门极-发射极最大电压: | 20 V |
JEDEC-95代码: | TO-247 | JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 |
JESD-609代码: | e0 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 150 W |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | Insulated Gate BIP Transistors |
表面贴装: | NO | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | MOTOR CONTROL |
晶体管元件材料: | SILICON | 标称断开时间 (toff): | 350 ns |
标称接通时间 (ton): | 90 ns | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
STGW20NB60K | STMICROELECTRONICS |
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N-CHANNEL 20A - 600V - TO-247 SHORT CIRCUIT P | |
STGW20NB60KD | STMICROELECTRONICS |
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N-CHANNEL 20A - 600V - TO-247 SHORT CIRCUIT PROOF PowerMESH? IGBT | |
STGW20NC60V | STMICROELECTRONICS |
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N-CHANNEL 30A - 600V - TO-220/TO-247 Very Fast PowerMESH IGBT | |
STGW20NC60VD | STMICROELECTRONICS |
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N-CHANNEL 30A - 600V TO-247 Very Fast PowerMESH IGBT | |
STGW20V60DF | STMICROELECTRONICS |
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600 V、20 A超高速沟槽栅场截止V系列IGBT | |
STGW20V60F | STMICROELECTRONICS |
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600 V、20 A超高速沟槽栅场截止V系列IGBT | |
STGW25H120DF2 | STMICROELECTRONICS |
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1200 V、25 A高速沟槽栅场截止H系列IGBT | |
STGW25H120F2 | STMICROELECTRONICS |
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1200 V、25 A高速沟槽栅场截止H系列IGBT | |
STGW25M120DF3 | STMICROELECTRONICS |
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1200 V、25 A沟槽栅场截止低损耗M系列IGBT | |
STGW28IH120DF | STMICROELECTRONICS |
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IGBT |