5秒后页面跳转
| 品牌 | Logo | 应用领域 |
| 意法半导体 - STMICROELECTRONICS |  |
双极性晶体管 |
| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 8页 | 94K |  |
| 描述 | ||
| N-CHANNEL 30A - 600V TO-247 PowerMESH IGBT | ||
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-247 | 包装说明： | TO-247, 3 PIN |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.82 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 60 A | 集电极-发射极最大电压： | 600 V |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 门极发射器阈值电压最大值： | 5 V |
| 门极-发射极最大电压： | 20 V | JEDEC-95代码： | TO-247 |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 190 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | MOTOR CONTROL |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称断开时间 (toff)： | 410 ns |
| 标称接通时间 (ton)： | 50 ns |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STGW30NC120HD | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-CHANNEL 30A - 1200V - TO-247 VERY FAST PowerMESH-TM IGBT |
|
| STGW30NC120HD_07 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 1200V - 30A - TO-247 Very fast PowerMESH TM IGBT |
|
| STGW30NC120HD_0710 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 1200V - 30A - TO-247 very fast PowerMESH IGBT |
|
| STGW30NC60KD | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
30 A - 600 V - short circuit rugged IGBT |
|
| STGW30NC60VD | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 40A - 600V - TO-247 Very fast switching PowerMESH TM IGBT |
|
| STGW30NC60W | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-CHANNEL 30A - 600V - TO-247 Ultra FAST Switching PowerMESH IGBT |
|
| STGW30NC60WD | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-CHANNEL 30A - 600V - TO-247 Ultra FAST Swit |
|
| STGW30NC60WD_07 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 30A - 600V - TO-247 Ultra fast swit |
|
| STGW30V60DF | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
600 V、30 A超高速沟槽栅场截止V系列IGBT |
|
| STGW33IH120D | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
30 A - 1200 V - very fast IGBT |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
