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STGW30NB60HD

更新时间： 2024-02-21 19:01:15
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 94K
描述
N-CHANNEL 30A - 600V TO-247 PowerMESH IGBT

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STGW30NB60HD 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-247包装说明：TO-247, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.82
最大集电极电流 (IC)：60 A集电极-发射极最大电压：600 V
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE门极发射器阈值电压最大值：5 V
门极-发射极最大电压：20 VJEDEC-95代码：TO-247
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：190 W
认证状态：Not Qualified子类别：Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：MOTOR CONTROL
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：410 ns
标称接通时间 (ton)：50 ns

STGW30NB60HD 数据手册

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STGW30NB60HD  
N-CHANNEL 30A - 600V TO-247  
PowerMESH IGBT  
TYPE  
VCES  
VCE(sat)  
< 2.8 V  
IC  
30 A  
STGW30NB60HD  
600 V  
■
HIGH INPUT IMPEDANCE  
(VOLTAGEDRIVEN)  
■
■
■
■
■
■
LOW ON-VOLTAGEDROP (VCESAT)  
LOW GATE CHARGE  
HIGH CURRENT CAPABILITY  
VERY HIGH FREQUENCY OPERATION  
OFF LOSSES INCLUDE TAIL CURRENT  
CO-PACKAGE WITH TURBOSWITCH  
ANTIPARALLEL DIODE  
3
2
1
TO-247  
DESCRIPTION  
Using the latest high voltage technology based  
on a patented strip layout, STMicroelectronics  
has designed an advanced family of IGBTs, the  
PowerMESH  
IGBTs,  
with  
outstanding  
perfomances. The suffix ”H” identifies a family  
optimized to achieve very low switching times for  
high frequency applications (<120kHz).  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
APPLICATIONS  
■
■
■
HIGH FREQUENCY MOTOR CONTROLS  
WELDING EQUIPMENTS  
SMPS AND PFC IN BOTH HARD SWITCH  
AND RESONANT TOPOLOGIES  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
VCES  
VECR  
VGE  
IC  
Parameter  
Value  
600  
20  
Unit  
Collector-Emitter Voltage (VGS = 0)  
Emitter-Collector Voltage  
Gate-Emitter Voltage  
V
V
20  
V
±
o
Collector Current (continuous) at Tc = 25 C  
60  
A
o
IC  
Collector Current (continuous) at Tc = 100 C  
30  
240  
A
I
CM(• )  
Collector Current (pulsed)  
A
o
Ptot  
Total Dissipation at Tc = 25 C  
190  
W
Derating Factor  
1.52  
W/oC  
oC  
oC  
Tstg  
Tj  
Storage Temperature  
-65 to 150  
150  
Max. Operating Junction Temperature  
(•) Pulse width limited by safe operating area  
1/8  
July 1999  
12345678

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
STGW30NC120HD STMICROELECTRONICS

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 		N-CHANNEL 30A - 1200V - TO-247 VERY FAST PowerMESH-TM IGBT
STGW30NC120HD_07 STMICROELECTRONICS

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