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STGW35HF60WDI

更新时间： 2024-11-21 13:14:07
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管功率控制瞄准线双极性晶体管栅局域网
页数 文件大小 规格书
12页 452K
描述
35 A, 600 V ultrafast IGBT with low drop diode

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STGW35HF60WDI 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
零件包装代码：TO-247包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：8 weeks
风险等级：2.25最大集电极电流 (IC)：60 A
集电极-发射极最大电压：600 V配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
门极发射器阈值电压最大值：5.75 V门极-发射极最大电压：20 V
JEDEC-95代码：TO-247JESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：200 W
认证状态：Not Qualified子类别：Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：NO端子面层：Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：POWER CONTROL
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：295 ns
标称接通时间 (ton)：45 nsBase Number Matches：1

STGW35HF60WDI 数据手册

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STGW35HF60WD  
35 A, 600 V ultra fast IGBT  
Features  
■ Improved E at elevated temperature  
off  
■ Minimal tail current  
■ Low conduction losses  
■ V  
classified for easy parallel connection  
CE(sat)  
■ Ultra fast soft recovery antiparallel diode  
3
2
1
Applications  
TO-247  
■ Welding  
■ High frequency converters  
■ Power factor correction  
Description  
Figure 1.  
Internal schematic diagram  
The STGW35HF60WD is based on a new  
advanced planar technology concept to yield an  
IGBT with more stable switching performance  
(E ) versus temperature, as well as lower  
off  
conduction losses. The device is tailored to high  
switching frequency operation (over 100 kHz).  
Table 1.  
Device summary  
Order code  
Marking(1)  
Package  
Packaging  
GW35HF60WDA  
GW35HF60WDB  
GW35HF60WDC  
STGW35HF60WD  
TO-247  
Tube  
1. Collector-emitter saturation voltage is classified in group A, B and C, see Table 5: VCE(sat) classification.  
STMicroelectronics reserves the right to ship from any group according to production availability.  
May 2010  
Doc ID 15592 Rev 5  
1/12  
www.st.com  
12  
1234567...12

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STGW35HF60WDI 替代型号

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