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STGW33IH120D

更新时间： 2024-09-29 02:59:31

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		晶体晶体管电动机控制双极性晶体管栅局域网
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14页	531K
描述
30 A - 1200 V - very fast IGBT

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STGW33IH120D 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-247AC	包装说明：	ROHS COMPLIANT, TO-247, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.84	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	60 A	集电极-发射极最大电压：	1200 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	门极发射器阈值电压最大值：	5.75 V
门极-发射极最大电压：	25 V	JEDEC-95代码：	TO-247AC
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	220 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	MOTOR CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	740 ns	标称接通时间 (ton)：	57 ns
Base Number Matches：	1

STGW33IH120D 数据手册

STGW33IH120D

30 A - 1200 V - very fast IGBT

Features

■ Low saturation voltage

■ High current capability

■ Low switching loss

■ Very soft ultra fast recovery antiparallel diode

Applications

TO-247

■ Induction cooking, microwave oven

■ Soft switching application

Description

This IGBT utilizes the advanced PowerMESH™

process resulting in an excellent trade-off

between switching performance and low on-state

behavior. This device is well suited for the

resonant or soft switching application.

Figure 1.

Internal schematic diagram

Table 1.

Order code

STGW33IH120D

Device summary

Marking

Package

TO-247

Packaging

GW33IH120D

Tube

March 2008

Rev 1

1/14

www.st.com

12 3 4 5 6 7...14

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