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STGW30N120KD

更新时间： 2024-09-28 03:27:51

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		晶体晶体管电动机控制双极性晶体管栅局域网
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13页	359K
描述
30 A - 1200 V - short circuit rugged IGBT

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STGW30N120KD 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-247AC	包装说明：	ROHS COMPLIANT, TO-247, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	8.05
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	60 A
集电极-发射极最大电压：	1200 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
门极发射器阈值电压最大值：	5.75 V	门极-发射极最大电压：	25 V
JEDEC-95代码：	TO-247AC	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	125 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	220 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Insulated Gate BIP Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	MOTOR CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	756 ns
标称接通时间 (ton)：	57 ns	Base Number Matches：	1

STGW30N120KD 数据手册

STGW30N120KD

30 A - 1200 V - short circuit rugged IGBT

Features

■ Low on-losses

■ High current capability

■ Low gate charge

■ Short circuit withstand time 10 µs

■ IGBT co-packaged with ultra fast free-wheeling

diode

Application

TO-247

■ Motor control

Description

This IGBT utilizes the advanced PowerMESH™

process resulting in an excellent trade-off

between switching performance and low on-state

behavior.

Figure 1.

Internal schematic diagram

Table 1.

Order code

STGW30N120KD

Device summary

Marking

Package

TO-247

Packaging

GW30N120KD

Tube

June 2008

Rev 2

1/13

www.st.com

12 3 4 5 6 7...13

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