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| 意法半导体 - STMICROELECTRONICS |  |
双极性晶体管 |
| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 14页 | 319K |  |
| 描述 | ||
| 19 A - 600 V - very fast IGBT | ||
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-247 | 包装说明： | ROHS COMPLIANT PACKAGE-3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.81 |
| Is Samacsys： | N | 最大集电极电流 (IC)： | 42 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 600 V | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 门极发射器阈值电压最大值： | 5.75 V | 门极-发射极最大电压： | 20 V |
| JEDEC-95代码： | TO-247 | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 125 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin (Sn) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | POWER CONTROL |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称断开时间 (toff)： | 204 ns |
| 标称接通时间 (ton)： | 33 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| STGW19NC60HD | STMICROELECTRONICS |
完全替代  |
19 A - 600 V - very fast IGBT |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STGW19NC60HD | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
19 A - 600 V - very fast IGBT |
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| STGW19NC60W | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
Ultra fast "W" series |
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| STGW19NC60WD | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 600V - 19A - TO-220 - TO-247 Ultra |
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| STGW20H60DF | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
600 V、20 A高速沟槽栅场截止IGBT |
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| STGW20H65FB | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
650 V、20 A高速沟槽栅场截止HB系列IGBT |
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| STGW20IH125DF | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
1250 V、20 A IH系列沟槽栅场截止IGBT |
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| STGW20NB60H | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-CHANNEL 20A - 600V TO-247 PowerMESH IGBT |
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| STGW20NB60HD | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-CHANNEL 20A - 600V TO-247 PowerMESH IGBT |
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| STGW20NB60K | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-CHANNEL 20A - 600V - TO-247 SHORT CIRCUIT P |
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| STGW20NB60KD | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-CHANNEL 20A - 600V - TO-247 SHORT CIRCUIT PROOF PowerMESH? IGBT |
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