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意法半导体 - STMICROELECTRONICS | ![]() |
双极性晶体管 |
页数 | 文件大小 | 规格书 |
14页 | 249K | ![]() |
描述 | ||
Trench gate field-stop, 650 V, 100 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO247-4 package |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
STGW10M65DF2 | STMICROELECTRONICS |
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沟槽栅场截止IGBT,M系列,650 V、10 A,低损耗 |
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STGW12NB60H | STMICROELECTRONICS |
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N-CHANNEL 12A - 600V TO-247 PowerMESH IGBT |
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STGW12NB60HD | STMICROELECTRONICS |
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N-CHANNEL 12A - 600V TO-247 PowerMESH IGBT |
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STGW15H120DF2 | STMICROELECTRONICS |
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1200 V、15 A高速沟槽栅场截止H系列IGBT |
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STGW15H120F2 | STMICROELECTRONICS |
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1200 V、15 A高速沟槽栅场截止H系列IGBT |
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STGW15M120DF3 | STMICROELECTRONICS |
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1200 V、15 A沟槽栅场截止低损耗M系列IGBT |
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STGW19NC60H | STMICROELECTRONICS |
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19 A - 600 V - very fast IGBT |
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STGW19NC60HD | STMICROELECTRONICS |
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19 A - 600 V - very fast IGBT |
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STGW19NC60W | STMICROELECTRONICS |
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Ultra fast "W" series |
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STGW19NC60WD | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 600V - 19A - TO-220 - TO-247 Ultra |
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