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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 零件包装代码： | TO-220AB | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 1.66 |
| Is Samacsys： | N | 最大集电极电流 (IC)： | 15 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 600 V | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 门极发射器阈值电压最大值： | 6.5 V | 门极-发射极最大电压： | 20 V |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 65 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | POWER CONTROL |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称断开时间 (toff)： | 242 ns |
| 标称接通时间 (ton)： | 23 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STGP8NC60KD | STMICROELECTRONICS |
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600 V - 8 A - short circuit rugged IGBT |
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| STGPL6NC60D | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 600V - 6A - DPAK / D2PAK / TO-220 / TO-220FP Hyper fast IGBT |
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| STGSB200M65DF2AG | STMICROELECTRONICS |
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Automotive-grade trench gate field-stop, 650 V, 200 A low-loss M series IGBT in an ACEPACK |
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| STGSH80HB65DAG | STMICROELECTRONICS |
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Automotive-grade ACEPACK SMIT half-bridge topology 650 V, 80 A HB series IGBT with diode |
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| STGST200G65DFAG | STMICROELECTRONICS |
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Automotive-grade trench gate field-stop IGBT 650 V, 200 A in a STPAK package |
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| STG-UDM001HA-HAE | ADVANTECH |
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Advantech Industrial USB DOM Industrial bNAND USB DOM |
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| STG-UDM002HA-HAE | ADVANTECH |
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Advantech Industrial USB DOM Industrial bNAND USB DOM |
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| STGW100H65FB2-4 | STMICROELECTRONICS |
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Trench gate field-stop, 650 V, 100 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO247-4 package |
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| STGW10M65DF2 | STMICROELECTRONICS |
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沟槽栅场截止IGBT，M系列，650 V、10 A，低损耗 |
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| STGW12NB60H | STMICROELECTRONICS |
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N-CHANNEL 12A - 600V TO-247 PowerMESH IGBT |
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