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STD888T4

更新时间： 2024-11-24 04:01:55
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管功率双极晶体管开关
页数 文件大小 规格书
10页 192K
描述
Medium Current, High Performance, Low Voltage PNP Transistor

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STD888T4 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
零件包装代码：TO-252AA包装说明：ROHS COMPLIANT, TO-252, DPAK-3
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：8 weeks
风险等级：1.65Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：5 A集电极-发射极最大电压：30 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：70
JEDEC-95代码：TO-252AAJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：15 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn) - annealed端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

STD888T4 数据手册

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STD888T4  
Medium Current, High Performance, Low Voltage  
PNP Transistor  
General features  
■ Very low Collector to Emitter saturation voltage  
■ D.C. Current gain, h >100  
FE  
■ 5A continuous collector current  
■ Surface mounting DPAK(TO-252) power  
package in tape & reel packing  
3
■ In compliance with the 2002/93/EC European  
1
Directive  
DPAK  
(TO-252)  
Description  
The device in manufactured in low voltage PNP  
Planar Technology by using a “Base Island”  
layout. The resulting transistor shows exceptional  
high gain performance coupled with very low  
saturation voltage.  
Internal schematic diagram  
Applications  
■ Power management in portable equipment  
■ Voltage regulation in bias supply circuits  
■ Switching regulator in battery charger  
applications  
■ Heavy load driver  
Order codes  
Part Number  
Marking  
Package  
DPAK  
Packing  
STD888T4  
D888  
Tape & reel  
April 2006  
Rev 2  
1/10  
www.st.com  
10  
1234567...10

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STD888T4 替代型号

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