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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-252 |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.44 |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 650 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 7 A | 最大漏源导通电阻： | 0.6 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-252 |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 28 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STD8N80K5 | STMICROELECTRONICS |
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N沟道800 V、0.8 Ohm典型值、6 A MDmesh K5功率MOSFET，DPA |
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| STD8NF25 | STMICROELECTRONICS |
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N沟道250 V、318 mOhm典型值、8 A STripFET(TM) II功率MOS |
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| STD8NM50N | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 500 V, 0.73 Ohm typ., 5 A MDmesh II Power MOSFET in DPAK, TO-220 and IPAK packag |
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| STD8NM60N | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 600 V - 0.56 ヘ - 7 A - TO-220 - TO- |
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| STD8NM60N-1 | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 600 V - 0.56 ヘ - 7 A - TO-220 - TO- |
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| STD8NM60ND | STMICROELECTRONICS |
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7A, 600V, 0.7ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, ROHS COMPLIANT, DPAK-3 |
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| STD8NS25 | STMICROELECTRONICS |
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N-CHANNEL 250V - 0.38ohm - 8A DPAK MESH OVERL |
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| STD8NS25T4 | STMICROELECTRONICS |
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8A, 250V, 0.45ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, TO-252, DPAK-3 |
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| STD90 | SIRECTIFIER |
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Thyristor-Diode Modules, Diode-Thyristor Modules |
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| STD90 | SIRECT |
获取价格 |
Thyristor-Diode Modules, Diode-Thyristor Modules |
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