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意法半导体 - STMICROELECTRONICS | / | |
页数 | 文件大小 | 规格书 |
17页 | 493K | |
描述 | ||
N-channel 600 V - 0.56 ヘ - 7 A - TO-220 - TO-220FP - IPAK - DPAK second generation MDmesh⑩ Power MOSFET |
是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 包装说明: | ROHS COMPLIANT, DPAK-3 |
针数: | 3 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 8.01 |
其他特性: | AVALANCHE RATED | 雪崩能效等级(Eas): | 200 mJ |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 600 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 7 A | 最大漏极电流 (ID): | 7 A |
最大漏源导通电阻: | 0.65 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码: | R-PSSO-G2 | JESD-609代码: | e3 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 70 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 28 A |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | YES | 端子面层: | Matte Tin (Sn) |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
STD8NM60N-1 | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 600 V - 0.56 ヘ - 7 A - TO-220 - TO- | |
STD8NM60ND | STMICROELECTRONICS |
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7A, 600V, 0.7ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, ROHS COMPLIANT, DPAK-3 | |
STD8NS25 | STMICROELECTRONICS |
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N-CHANNEL 250V - 0.38ohm - 8A DPAK MESH OVERL | |
STD8NS25T4 | STMICROELECTRONICS |
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8A, 250V, 0.45ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, TO-252, DPAK-3 | |
STD90 | SIRECTIFIER |
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Thyristor-Diode Modules, Diode-Thyristor Modules | |
STD90 | SIRECT |
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Thyristor-Diode Modules, Diode-Thyristor Modules | |
STD901T | STMICROELECTRONICS |
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用于点火线圈的高压NPN达林顿晶体管 | |
STD901T | RECTRON |
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Package / Case : TO-220;Mounting Style : Through Hole;Power Rating : 100 W;Transistor Pola | |
STD909 | STMICROELECTRONICS |
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15A, 80V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252 | |
STD909T4 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 15A I(C) | TO-252 |