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STD909

更新时间: 2024-02-22 16:08:25
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 开关晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 102K
描述
15A, 80V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252

STD909 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:ObsoleteReach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:5.84
外壳连接:COLLECTOR最大集电极电流 (IC):15 A
集电极-发射极最大电压:80 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):5JEDEC-95代码:TO-252
JESD-30 代码:R-PSSO-G2JESD-609代码:e3
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:NPN
最大功率耗散 (Abs):20 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:YES
端子面层:Matte Tin (Sn)端子形式:GULL WING
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):3 MHzBase Number Matches:1

STD909 数据手册

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STD909  
STD910  
COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS  
ST PREFERRED SALESTYPES  
COMPLEMENTARY PNP - NPN DEVICES  
SURFACE-MOUNTING TO-252 (DPAK)  
POWER PACKAGE IN TAPE & REEL  
(SUFFIX ”T4”)  
ELECTRICAL SIMILAR TO BD909 AND  
BD910  
3
APPLICATIONS  
1
GENERAL PURPOSE SWITCHING AND  
AMPLIFIER  
GENERAL PURPOSE AMPLIFIER  
DPAK  
TO-252  
(Suffix ”T4”)  
DESCRIPTION  
The STD909 and STD910 form complementary  
NPN - PNP pairs.  
They are manufactured using Medium Voltage  
Epitaxial Base technology for cost-effective  
performance.  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Value  
Unit  
NPN  
PNP  
STD909  
STD910  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
Collector-Base Voltage (IE = 0)  
Collector-Emitter Voltage (IB = 0)  
Emitter-Base Voltage (IC = 0)  
Collector Current  
80  
V
V
80  
5
V
15  
A
IB  
Base Current  
Total Dissipation at Tcase = 25 oC  
5
20  
A
Ptot  
Tstg  
Tj  
W
oC  
oC  
Storage Temperature  
-65 to 150  
150  
Max Operating Junction Temperature  
For PNP types voltage and current values are negative.  
1/6  
July 1998  

与STD909相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
STD909T4 ETC

获取价格

TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 15A I(C) | TO-252
STD90GK08 SIRECT

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