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STD90N02L

更新时间: 2024-01-28 01:21:51
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意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
17页 806K
描述
N-channel 24V - 0.0052ohm - 60A - DPAK - IPAK STripFET TM III Power MOSFET

STD90N02L 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
包装说明:ROHS COMPLIANT, DPAK-3针数:3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.79Is Samacsys:N
其他特性:LOW THRESHOLD雪崩能效等级(Eas):360 mJ
外壳连接:DRAIN配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:25 V最大漏极电流 (Abs) (ID):60 A
最大漏极电流 (ID):60 A最大漏源导通电阻:0.006 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码:R-PSSO-G2
JESD-609代码:e3湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:2
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:175 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):70 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):240 A认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power表面贴装:YES
端子面层:MATTE TIN端子形式:GULL WING
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:30
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

STD90N02L 数据手册

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STD90N02L  
STD90N02L-1  
N-channel 24V - 0.0052- 60A - DPAK - IPAK  
STripFET™ III Power MOSFET  
General features  
Type  
V
R
I
D
DSS  
DS(on)  
STD90N02L  
24V  
24V  
<0.006Ω  
<0.006Ω  
60A  
60A  
STD90N02L-1  
3
3
R  
* Qg industry’s benchmark  
DS(ON)  
2
1
1
Conduction losses reduced  
Switching losses reduced  
Low threshold device  
DPAK  
IPAK  
In compliance with the 2002/95/ec european  
directive  
Description  
Internal schematic diagram  
This series of products utilizes the latest  
advanced design rules of ST’s proprietary  
STripFET™ technology. This is suitable for the  
most demanding DC-DC converter application  
where high efficiency is to be achieved.  
Applications  
Switching application  
Order codes  
Part number  
Marking  
Package  
Packaging  
STD90N02L-1  
STD90N02L  
D90N02L  
D90N02L  
IPAK  
Tube  
DPAK  
Tape & reel  
May 2006  
Rev 3  
1/17  
www.st.com  
17  

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