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STD8NS25

更新时间： 2024-02-29 10:45:58
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS /
页数 文件大小 规格书
6页 125K
描述
N-CHANNEL 250V - 0.38ohm - 8A DPAK MESH OVERLAY⑩ MOSFET

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STD8NS25 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-252包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.69
雪崩能效等级（Eas）：300 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：250 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：8 A
最大漏极电流 (ID)：8 A最大漏源导通电阻：0.45 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-252
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：80 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：32 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

STD8NS25 数据手册

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STD8NS25  
N-CHANNEL 250V - 0.38Ω - 8A DPAK  
MESH OVERLAY™ MOSFET  
PRELIMINARY DATA  
TYPE  
V
DSS  
R
I
D
DS(on)  
STD8NS25  
250 V  
< 0.45 Ω  
8 A  
■
■
■
TYPICAL R (on) = 0.38 Ω  
DS  
EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY  
100% AVALANCHE TESTED  
3
1
DPAK  
DESCRIPTION  
Using the latest high voltage MESH OVERLAY™  
process, STMicroelectronics has designed an ad-  
vanced family of power MOSFETs with outstanding  
performance. The new patented STrip layout cou-  
pled with the Company’s proprietary edge termina-  
tion structure, makes it suitable in coverters for  
lighting applications.  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
APPLICATIONS  
■
■
■
HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING  
SWITH MODE POWER SUPPLIES (SMPS)  
DC-DC CONVERTERS FOR TELECOM,  
INDUSTRIAL, AND LIGHTING EQUIPMENT  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Value  
Unit  
V
V
DS  
Drain-source Voltage (V = 0)  
250  
GS  
V
Drain-gate Voltage (R = 20 kΩ)  
250  
V
DGR  
GS  
V
GS  
Gate- source Voltage  
± 20  
V
I
Drain Current (continuos) at T = 25°C  
8
A
D
C
I
Drain Current (continuos) at T = 100°C  
5
32  
A
D
C
I
( )  
●
Drain Current (pulsed)  
A
DM  
P
TOT  
Total Dissipation at T = 25°C  
80  
W
C
Derating Factor  
0.64  
5
W/°C  
V/ns  
mJ  
°C  
°C  
dv/dt (1)  
Peak Diode Recovery voltage slope  
Single Pulse Avalanche Energy  
Storage Temperature  
E
AS  
(2)  
209  
T
stg  
–65 to 150  
150  
T
Max. Operating Junction Temperature  
j
(•)Pulse width limited by safe operating area  
(1) I ≤ 8A, di/dt≤300 A/µs, V ≤ V  
, Tj≤T  
(BR)DSS jMAX  
SD  
DD  
(2) Starting T = 25°C, I = 50A, V =20 V  
j
AR  
DD  
July 2001  
1/6  
123456

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与STD8NS25相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
STD8NS25T4 STMICROELECTRONICS

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 		8A, 250V, 0.45ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, TO-252, DPAK-3
STD90 SIRECTIFIER

获取价格

 		Thyristor-Diode Modules, Diode-Thyristor Modules
STD90 SIRECT

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 		Thyristor-Diode Modules, Diode-Thyristor Modules
STD901T STMICROELECTRONICS

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 		用于点火线圈的高压NPN达林顿晶体管
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 		Package / Case : TO-220;Mounting Style : Through Hole;Power Rating : 100 W;Transistor Pola
STD909 STMICROELECTRONICS

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 		15A, 80V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252
STD909T4 ETC

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 		TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 15A I(C) | TO-252
STD90GK08 SIRECT

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 		Thyristor-Diode Modules, Diode-Thyristor Modules
STD90GK08 SIRECTIFIER

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 		Thyristor-Diode Modules, Diode-Thyristor Modules
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 		Thyristor-Diode Modules

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