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STD8NM60N-1

更新时间: 2024-02-20 01:43:58
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意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
17页 493K
描述
N-channel 600 V - 0.56 ヘ - 7 A - TO-220 - TO-220FP - IPAK - DPAK second generation MDmesh⑩ Power MOSFET

STD8NM60N-1 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:TO-251AA
包装说明:IN-LINE, R-PSIP-T3针数:3
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.8Is Samacsys:N
其他特性:AVALANCHE RATED雪崩能效等级(Eas):200 mJ
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:600 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):7 A最大漏极电流 (ID):7 A
最大漏源导通电阻:0.65 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-251AAJESD-30 代码:R-PSIP-T3
JESD-609代码:e3湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):70 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):28 A认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power表面贴装:NO
端子面层:Matte Tin (Sn)端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:30
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

STD8NM60N-1 数据手册

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STD8NM60N - STD8NM60N-1  
STF8NM60N - STP8NM60N  
N-channel 600 V - 0.56 - 7 A - TO-220 - TO-220FP - IPAK - DPAK  
second generation MDmesh™ Power MOSFET  
Features  
VDSS  
(@Tjmax)  
RDS(on)  
max  
Type  
ID  
3
2
1
3
2
STD8NM60N  
STD8NM60N-1  
STF8NM60N  
STP8NM60N  
650 V  
650 V  
650 V  
650 V  
<0.65 Ω  
<0.65 Ω  
<0.65 Ω  
<0.65 Ω  
7 A  
7 A  
7 A(1)  
1
IPAK  
TO-220  
7 A  
1. Limited only by maximum temperature allowed  
3
3
1
2
1
100% avalanche tested  
DPAK  
TO-220FP  
Low input capacitance and gate charge  
Low gate input resistance  
Figure 1.  
Internal schematic diagram  
Application  
Switching applications  
Description  
This series of devices implements second  
generation MDmesh™ technology. This  
revolutionary Power MOSFET associates a new  
vertical structure to the Company’s strip layout to  
yield one of the world’s lowest on-resistance and  
gate charge. It is therefore suitable for the most  
demanding high efficiency converters.  
Table 1.  
Device summary  
Order code  
Marking  
Package  
DPAK  
Packaging  
STD8NM60N  
STD8NM60N-1  
STF8NM60N  
STP8NM60N  
D8NM60N  
D8NM60N-1  
F8NM60N  
P8NM60N  
Tape & reel  
Tube  
IPAK  
TO-220FP  
TO-220  
Tube  
Tube  
January 2008  
Rev 2  
1/17  
www.st.com  
17  

STD8NM60N-1 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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Package / Case : TO-220;Mounting Style : Through Hole;Power Rating : 100 W;Transistor Pola
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STD909T4 ETC

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TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 15A I(C) | TO-252
STD90GK08 SIRECT

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