是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | TO-251AA |
包装说明: | IN-LINE, R-PSIP-T3 | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.8 | Is Samacsys: | N |
其他特性: | AVALANCHE RATED | 雪崩能效等级(Eas): | 200 mJ |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 600 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 7 A | 最大漏极电流 (ID): | 7 A |
最大漏源导通电阻: | 0.65 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码: | TO-251AA | JESD-30 代码: | R-PSIP-T3 |
JESD-609代码: | e3 | 湿度敏感等级: | 1 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 70 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 28 A | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | NO |
端子面层: | Matte Tin (Sn) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
SPB07N60C3 | INFINEON |
功能相似 ![]() |
Cool MOS⑩ Power Transistor |
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SPU07N60C3 | INFINEON |
功能相似 ![]() |
Cool MOS Power Transistor |
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型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
STD8NM60ND | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
7A, 600V, 0.7ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, ROHS COMPLIANT, DPAK-3 |
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STD8NS25 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-CHANNEL 250V - 0.38ohm - 8A DPAK MESH OVERL |
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STD8NS25T4 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
8A, 250V, 0.45ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, TO-252, DPAK-3 |
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STD90 | SIRECTIFIER |
获取价格 |
Thyristor-Diode Modules, Diode-Thyristor Modules |
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STD90 | SIRECT |
获取价格 |
Thyristor-Diode Modules, Diode-Thyristor Modules |
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STD901T | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
用于点火线圈的高压NPN达林顿晶体管 |
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STD901T | RECTRON |
获取价格 |
Package / Case : TO-220;Mounting Style : Through Hole;Power Rating : 100 W;Transistor Pola |
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STD909 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
15A, 80V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252 |
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STD909T4 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 15A I(C) | TO-252 |
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STD90GK08 | SIRECT |
获取价格 |
Thyristor-Diode Modules, Diode-Thyristor Modules |
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