5秒后页面跳转
| 品牌 | Logo | 应用领域 |
| 意法半导体 - STMICROELECTRONICS |  |
/ |
| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 18页 | 588K |  |
| 描述 | ||
| N沟道800 V、0.8 Ohm典型值、6 A MDmesh K5功率MOSFET，DPAK封装 | ||
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 1.68 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 114 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 800 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 6 A | 最大漏极电流 (ID)： | 6 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.95 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-252 | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 110 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 24 A | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| STU8N80K5 | STMICROELECTRONICS |
完全替代  |
N-channel 800 V, 0.8 typ., 6 A Zener-protected SuperMESH 5 Power MOSFET in TO-220 and IPA |
|
| STP8N80K5 | STMICROELECTRONICS |
功能相似 |
N-channel 800 V, 0.8 typ., 6 A Zener-protected SuperMESH 5 Power MOSFET in TO-220 and IPA |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STD8NF25 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道250 V、318 mOhm典型值、8 A STripFET(TM) II功率MOS |
|
| STD8NM50N | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 500 V, 0.73 Ohm typ., 5 A MDmesh II Power MOSFET in DPAK, TO-220 and IPAK packag |
|
| STD8NM60N | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 600 V - 0.56 ヘ - 7 A - TO-220 - TO- |
|
| STD8NM60N-1 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 600 V - 0.56 ヘ - 7 A - TO-220 - TO- |
|
| STD8NM60ND | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
7A, 600V, 0.7ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, ROHS COMPLIANT, DPAK-3 |
|
| STD8NS25 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-CHANNEL 250V - 0.38ohm - 8A DPAK MESH OVERL |
|
| STD8NS25T4 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
8A, 250V, 0.45ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, TO-252, DPAK-3 |
|
| STD90 | SIRECTIFIER |
获取价格 |
Thyristor-Diode Modules, Diode-Thyristor Modules |
|
| STD90 | SIRECT |
获取价格 |
Thyristor-Diode Modules, Diode-Thyristor Modules |
|
| STD901T | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
用于点火线圈的高压NPN达林顿晶体管 |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
替代型号
如果您发现信息不准确，
