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| 意法半导体 - STMICROELECTRONICS |  |
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| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 15页 | 665K |  |
| 描述 | ||
| N沟道250 V、318 mOhm典型值、8 A STripFET(TM) II功率MOSFET，DPAK封装 | ||
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 2.27 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 110 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 250 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 8 A | 最大漏极电流 (ID)： | 8 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.42 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-252 | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 72 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 32 A |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) - annealed | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STD8NM50N | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 500 V, 0.73 Ohm typ., 5 A MDmesh II Power MOSFET in DPAK, TO-220 and IPAK packag |
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| STD8NM60N | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 600 V - 0.56 ヘ - 7 A - TO-220 - TO- |
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| STD8NM60N-1 | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 600 V - 0.56 ヘ - 7 A - TO-220 - TO- |
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| STD8NM60ND | STMICROELECTRONICS |
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7A, 600V, 0.7ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, ROHS COMPLIANT, DPAK-3 |
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| STD8NS25 | STMICROELECTRONICS |
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N-CHANNEL 250V - 0.38ohm - 8A DPAK MESH OVERL |
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| STD8NS25T4 | STMICROELECTRONICS |
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8A, 250V, 0.45ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, TO-252, DPAK-3 |
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| STD90 | SIRECTIFIER |
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Thyristor-Diode Modules, Diode-Thyristor Modules |
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| STD90 | SIRECT |
获取价格 |
Thyristor-Diode Modules, Diode-Thyristor Modules |
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| STD901T | STMICROELECTRONICS |
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用于点火线圈的高压NPN达林顿晶体管 |
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| STD901T | RECTRON |
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Package / Case : TO-220;Mounting Style : Through Hole;Power Rating : 100 W;Transistor Pola |
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