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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.69 | 雪崩能效等级（Eas）： | 25 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 100 V | 最大漏极电流 (ID)： | 8 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.3 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-252 | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 32 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STD8N60DM2 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道600 V、550 mOhm典型值、8 A MDmesh DM2功率MOSFET，D |
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| STD8N65M5 | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 650 V, 0.56 Ω, 7 A MDmesh? V Power |
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| STD8N65M5 | TI |
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a Phase-Dimmable, Primary-Side Regulated LED Driver |
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| STD8N65M5TRL | STMICROELECTRONICS |
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7A, 650V, 0.6ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, ROHS COMPLIANT, DPAK-3 |
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| STD8N80K5 | STMICROELECTRONICS |
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N沟道800 V、0.8 Ohm典型值、6 A MDmesh K5功率MOSFET，DPA |
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| STD8NF25 | STMICROELECTRONICS |
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N沟道250 V、318 mOhm典型值、8 A STripFET(TM) II功率MOS |
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| STD8NM50N | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 500 V, 0.73 Ohm typ., 5 A MDmesh II Power MOSFET in DPAK, TO-220 and IPAK packag |
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| STD8NM60N | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 600 V - 0.56 ヘ - 7 A - TO-220 - TO- |
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| STD8NM60N-1 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 600 V - 0.56 ヘ - 7 A - TO-220 - TO- |
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| STD8NM60ND | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
7A, 600V, 0.7ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, ROHS COMPLIANT, DPAK-3 |
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