5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.64 | 雪崩能效等级（Eas）： | 25 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 100 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 8 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 8 A | 最大漏源导通电阻： | 0.3 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-252 |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 45 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 32 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STD8N10-1 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-251 |
|
| STD8N10L | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE LOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTOR |
|
| STD8N10L1 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-251 |
|
| STD8N10T4 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
8A, 100V, 0.3ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252 |
|
| STD8N60DM2 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道600 V、550 mOhm典型值、8 A MDmesh DM2功率MOSFET，D |
|
| STD8N65M5 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 650 V, 0.56 Ω, 7 A MDmesh? V Power |
|
| STD8N65M5 | TI |
获取价格 |
a Phase-Dimmable, Primary-Side Regulated LED Driver |
|
| STD8N65M5TRL | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
7A, 650V, 0.6ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, ROHS COMPLIANT, DPAK-3 |
|
| STD8N80K5 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道800 V、0.8 Ohm典型值、6 A MDmesh K5功率MOSFET，DPA |
|
| STD8NF25 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道250 V、318 mOhm典型值、8 A STripFET(TM) II功率MOS |
|
塔塔电子与力积电达成技术转让协议，携手建设印度首座晶圆厂
英特尔震撼发布：128核心256线程的至强6性能核处理器
SK海力士量产12层HBM3E，容量高达36GB
意法半导体传感器驱动Sphere，开启沉浸式电影新时代
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
