是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | Reach Compliance Code: | compliant |
风险等级: | 5.69 | 最大集电极电流 (IC): | 5 A |
集电极-发射极最大电压: | 30 V | 配置: | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE): | 15 | JEDEC-95代码: | TO-252 |
JESD-30 代码: | R-PSSO-G2 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | PNP | 表面贴装: | YES |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
STD888L-TN3-T | UTC |
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Power Bipolar Transistor | |
STD888T4 | STMICROELECTRONICS |
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Medium Current, High Performance, Low Voltage PNP Transistor | |
STD8N06 | STMICROELECTRONICS |
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N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR | |
STD8N061 | STMICROELECTRONICS |
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8A, 60V, 0.25ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251 | |
STD8N06-1 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-251 | |
STD8N06T4 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-252AA | |
STD8N10 | STMICROELECTRONICS |
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8A, 100V, 0.3ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252 | |
STD8N10-1 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-251 | |
STD8N10L | STMICROELECTRONICS |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE LOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTOR | |
STD8N10L1 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-251 |