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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | TO-252AA |
| 包装说明： | TO-252, DPAK-3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.67 | Is Samacsys： | N |
| 最大集电极电流 (IC)： | 5 A | 集电极-发射极最大电压： | 30 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 75 |
| JEDEC-95代码： | TO-252AA | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | PNP |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 15 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STD888_15 | UTC |
获取价格 |
HIGH CURRENT, HIGH PERFORMANCE, LOW VOLTAGE PNP TRANSISTOR |
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| STD888G-TN3-R | UTC |
获取价格 |
HIGH CURRENT, HIGH PERFORMANCE, LOW VOLTAGE PNP TRANSISTOR |
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| STD888G-TN3-T | UTC |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor |
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| STD888L-TN3-R | UTC |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, |
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| STD888L-TN3-T | UTC |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor |
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| STD888T4 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
Medium Current, High Performance, Low Voltage PNP Transistor |
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| STD8N06 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR |
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| STD8N061 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
8A, 60V, 0.25ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251 |
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| STD8N06-1 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-251 |
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| STD8N06T4 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-252AA |
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