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意法半导体 - STMICROELECTRONICS | / | |
页数 | 文件大小 | 规格书 |
18页 | 1004K | |
描述 | ||
汽车级N沟道55 V、6.5 mOhm典型值、80 A STripFET功率MOSFET,D2PAK封装 |
是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | TO-263, D2PAK-3/2 | Reach Compliance Code: | compliant |
Factory Lead Time: | 12 weeks | 风险等级: | 1.52 |
雪崩能效等级(Eas): | 1000 mJ | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 55 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 80 A | 最大漏极电流 (ID): | 80 A |
最大漏源导通电阻: | 0.008 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码: | TO-263AB | JESD-30 代码: | R-PSSO-G2 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 175 °C |
最低工作温度: | -55 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 300 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 320 A |
参考标准: | AEC-Q101 | 表面贴装: | YES |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
STB80NF55-08T4 | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 55 V, 0.0065 Ω, 80 A, TO-220, D2PAK | |
STB80NF55L06 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 80A I(D) | TO-263AB | |
STB80NF55L-06 | STMICROELECTRONICS |
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N - CHANNEL 55V - 0.005 ohm - 80A D2PAK STripFET POWER MOSFET | |
STB80NF55L06T4 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 80A I(D) | TO-263AB | |
STB80NF55L-06T4 | STMICROELECTRONICS |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 80A I(D) | TO-263AB | |
STB80NF55L-08 | STMICROELECTRONICS |
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N-CHANNEL 55V - 0.0065ohm - 80A - TO-220/D2PA | |
STB80NF55L-08-1 | ETC |
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N-CHANNEL 55V - 0.0065 OHM - 80A TO-220/D2PAK/I2PAK STRIPFET II POWER MOSFET | |
STB80NF75L | STMICROELECTRONICS |
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N-CHANNEL 75V - 0.008 ohm - 80A TO-220/D2PAK/ | |
STB80NF75L-1 | STMICROELECTRONICS |
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N-CHANNEL 75V - 0.008 ohm - 80A TO-220/D2PAK/ | |
STB80NF75LT4 | STMICROELECTRONICS |
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80A, 75V, 0.013ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, D2PAK-3 |