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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> STB80NF75L
STB80NF75L PDF预览

STB80NF75L

更新时间： 2024-11-23 22:29:03
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
11页 370K
描述
N-CHANNEL 75V - 0.008 ohm - 80A TO-220/D2PAK/I2PAK STripFET⑩ II POWER MOSFET

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STB80NF75L 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：D2PAK
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.27Is Samacsys：N
其他特性：LOGIC LEVEL COMPATIBLE雪崩能效等级（Eas）：930 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：75 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：80 A最大漏极电流 (ID)：80 A
最大漏源导通电阻：0.013 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-263ABJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：245
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：300 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：320 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

STB80NF75L 数据手册

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STP80NF75L  
STB80NF75L STB80NF75L-1  
2
2
N-CHANNEL 75V - 0.008 Ω - 80A TO-220/D PAK/I PAK  
STripFET™ II POWER MOSFET  
V
R
I
D
TYPE  
DSS  
DS(on)  
STP80NF75L  
STB80NF75L  
STB80NF75L-1  
75 V  
75 V  
75 V  
<0.01 Ω  
<0.01 Ω  
<0.01 Ω  
80 A  
80 A  
80 A  
■
■
■
■
TYPICAL R (on) = 0.008 Ω  
DS  
3
3
1
2
1
EXCEPTIONAL dv/dt CAPABILITY  
100% AVALANCHE TESTED  
LOW THRESHOLD DRIVE  
2
D PAK  
TO-263  
2
I PAK  
TO-262  
DESCRIPTION  
3
This Power MOSFET is the latest development of  
STMicroelectronis unique "Single Feature Size™"  
strip-based process. The resulting transistor  
shows extremely high packing density for low on-  
resistance, rugged avalanche characteristics and  
less critical alignment steps therefore a remark-  
able manufacturing reproducibility.  
2
1
TO-220  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
APPLICATIONS  
■
■
■
■
HIGH CURRENT, HIGH SWITCHING SPEED  
MOTOR CONTROL, AUDIO AMPLIFIERS  
DC-DC & DC-AC CONVERTERS  
SOLENOID AND RELAY DRIVERS  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Value  
75  
Unit  
V
V
Drain-source Voltage (V = 0)  
DS  
GS  
V
Drain-gate Voltage (R = 20 kΩ)  
75  
V
DGR  
GS  
V
Gate- source Voltage  
± 16  
80  
V
GS  
I (•)  
D
Drain Current (continuos) at T = 25°C  
A
C
I
Drain Current (continuos) at T = 100°C  
80  
A
D
C
I
(••)  
Drain Current (pulsed)  
320  
300  
2
A
DM  
P
Total Dissipation at T = 25°C  
W
tot  
C
Derating Factor  
W/°C  
V/ns  
mJ  
(1)  
Peak Diode Recovery voltage slope  
Single Pulse Avalanche Energy  
Storage Temperature  
12  
dv/dt  
(2)  
E
930  
AS  
T
stg  
-55 to 175  
°C  
T
Max. Operating Junction Temperature  
j
(•)Current Limited by Package  
(1) I ≤80A, di/dt ≤960A/µs, V ≤ V  
, T ≤ T  
SD  
DD  
(BR)DSS j JMAX  
o
(••) Pulse width limited by safe operating area.  
(2) Starting T = 25 C, I = 40A, V = 40V  
j
D
DD  
November 2001  
1/11  
.
1234567...11

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与STB80NF75L相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
STB80NF75L-1 STMICROELECTRONICS

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 		N-CHANNEL 75V - 0.008 ohm - 80A TO-220/D2PAK/
STB80NF75LT4 STMICROELECTRONICS

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 		80A, 75V, 0.013ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, D2PAK-3
STB80PF55 STMICROELECTRONICS

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 		P-CHANNEL 55V - 0.016 ohm - 80A D2PAK STripFE
STB80PF55_06 STMICROELECTRONICS

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 		P-channel 55V - 0.016ヘ - 80A - TO-220 - D2PAK
STB80PF55_10 STMICROELECTRONICS

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 		P-channel 55 V, 0.016 Ω, 80 A TO-220, D2PAK S
STB80PF55T4 STMICROELECTRONICS

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 		P-channel 55 V, 0.016 Ω, 80 A TO-220, D2PAK
STB8120 SMC

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 		SCHOTTKY RECTIFIER
STB8444 SAMHOP

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 		N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
STB85N15F4 STMICROELECTRONICS

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 		85A, 150V, 0.019ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, TO-263, D2PAK-3
STB85NF3LL STMICROELECTRONICS

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 		N-CHANNEL 30V - 0.006ohm - 85A D2PAK LOW GATE

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