5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > SSM6K211FE
SSM6K211FE PDF预览

SSM6K211FE

更新时间： 2024-11-18 06:14:15
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 开关
页数 文件大小 规格书
6页 198K
描述
High-Speed Switching Applications Power Management Switch Applications

阅读下载

中文翻译

获取价格

SSM6K211FE 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6针数：6
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.34配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：20 V最大漏极电流 (ID)：3.2 A
最大漏源导通电阻：0.059 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-F6元件数量：1
端子数量：6工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SSM6K211FE 数据手册

 浏览型号SSM6K211FE的Datasheet PDF文件第2页浏览型号SSM6K211FE的Datasheet PDF文件第3页浏览型号SSM6K211FE的Datasheet PDF文件第4页浏览型号SSM6K211FE的Datasheet PDF文件第5页浏览型号SSM6K211FE的Datasheet PDF文件第6页 
SSM6K211FE  
TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (U-MOSⅢ)  
SSM6K211FE  
○High-Speed Switching Applications  
○Power Management Switch Applications  
Unit: mm  
•
•
1.5-V drive  
Low ON-resistance:  
R
on  
R
on  
R
on  
R
on  
= 118 mΩ (max) (@V  
= 1.5 V)  
= 1.8 V)  
= 2.5 V)  
= 4.5 V)  
GS  
=
=
=
82 mΩ (max) (@V  
GS  
GS  
GS  
59 mΩ (max) (@V  
47 mΩ (max) (@V  
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25˚C)  
Characteristic  
Drain-source voltage  
Symbol  
Rating  
Unit  
V
V
20  
± 10  
3.2  
V
V
DSS  
Gate-source voltage  
GSS  
DC  
I
D
Drain current  
A
Pulse  
I
6.4  
DP  
1,2, 5, 6: Drain  
Drain power dissipation  
Channel temperature  
Storage temperature  
P
(Note 1)  
500  
150  
mW  
°C  
D
3:  
4:  
Gate  
Source  
T
ch  
ES6  
T
stg  
−55 to 150  
°C  
JEDEC  
JEITA  
―
―
Note:Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high  
temperature/current/voltage and the significant change in  
temperature, etc.) may cause this product to decrease in the  
reliability significantly even if the operating conditions (i.e.  
operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute  
maximum ratings.  
TOSHIBA  
2-2N1J  
Weight: 3 mg (typ.)  
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook  
(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test report  
and estimated failure rate, etc).  
Note 1: Mounted on an FR4 board  
(25.4 mm × 25.4 mm × 1.6 mm, Cu Pad: 645 mm2)  
Marking  
Equivalent Circuit (top view)  
6
5
4
6
5
4
NQ  
1
2
3
1
2
3
1
2008-11-21  
123456

中文翻译

下载PDF

与SSM6K211FE相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SSM6K211FE(TE85L) TOSHIBA

获取价格

 		TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,20V V(BR)DSS,3.2A I(D),SOT-363VAR
SSM6K211FE(TE85L,F) TOSHIBA

获取价格

 		TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,20V V(BR)DSS,3.2A I(D),SOT-363VAR
SSM6K211FE(TPL3) TOSHIBA

获取价格

 		TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,20V V(BR)DSS,3.2A I(D),SOT-363VAR
SSM6K211FE(TPL3,F) TOSHIBA

获取价格

 		TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,20V V(BR)DSS,3.2A I(D),SOT-363VAR
SSM6K217FE TOSHIBA

获取价格

 		Transistors (Bipolar/MOSFETs/IGBTs) - MOSFETs - Junction FETs (Single/Dual) - Small-Signal
SSM6K22FE TOSHIBA

获取价格

 		High Current Switching Applications
SSM6K22FE(TE85L) TOSHIBA

获取价格

 		SSM6K22FE(TE85L)
SSM6K22FE(TE85L,F) TOSHIBA

获取价格

 		SSM6K22FE(TE85L,F)
SSM6K22FE(TPL3) TOSHIBA

获取价格

 		SSM6K22FE(TPL3)
SSM6K22FE(TPL3,F) TOSHIBA

获取价格

 		SSM6K22FE(TPL3,F)

与SSM6K211FE相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证