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SSM6K211FE(TE85L)

更新时间： 2024-11-18 14:44:59
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA /
页数 文件大小 规格书
6页 197K
描述
TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,20V V(BR)DSS,3.2A I(D),SOT-363VAR

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SSM6K211FE(TE85L) 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Active
包装说明：,Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.84Is Samacsys：N
配置：Single最大漏极电流 (Abs) (ID)：3.2 A
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：0.5 W子类别：FET General Purpose Powers
表面贴装：YESBase Number Matches：1

SSM6K211FE(TE85L) 数据手册

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SSM6K211FE  
TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (U-MOSⅢ)  
SSM6K211FE  
○High-Speed Switching Applications  
○Power Management Switch Applications  
Unit: mm  
•
•
1.5-V drive  
Low ON-resistance:  
R
on  
R
on  
R
on  
R
on  
= 118 mΩ (max) (@V  
= 1.5 V)  
= 1.8 V)  
= 2.5 V)  
= 4.5 V)  
GS  
=
=
=
82 mΩ (max) (@V  
GS  
GS  
GS  
59 mΩ (max) (@V  
47 mΩ (max) (@V  
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25˚C)  
Characteristic  
Drain-source voltage  
Symbol  
Rating  
Unit  
V
V
20  
± 10  
3.2  
V
V
DSS  
Gate-source voltage  
GSS  
DC  
I
D
Drain current  
A
Pulse  
I
6.4  
DP  
1,2, 5, 6: Drain  
Drain power dissipation  
Channel temperature  
Storage temperature  
P
(Note 1)  
500  
150  
mW  
°C  
D
3:  
4:  
Gate  
Source  
T
ch  
ES6  
T
stg  
−55 to 150  
°C  
JEDEC  
JEITA  
―
―
Note:Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high  
temperature/current/voltage and the significant change in  
temperature, etc.) may cause this product to decrease in the  
reliability significantly even if the operating conditions (i.e.  
operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute  
maximum ratings.  
TOSHIBA  
2-2N1J  
Weight: 3 mg (typ.)  
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook  
(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test report  
and estimated failure rate, etc).  
Note 1: Mounted on an FR4 board  
(25.4 mm × 25.4 mm × 1.6 mm, Cu Pad: 645 mm2)  
Marking  
Equivalent Circuit (top view)  
6
5
4
6
5
4
NQ  
1
2
3
1
2
3
1
2008-11-21  
123456

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SSM6K211FE(TE85L,F) TOSHIBA

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 		TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,20V V(BR)DSS,3.2A I(D),SOT-363VAR
SSM6K211FE(TPL3) TOSHIBA

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 		TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,20V V(BR)DSS,3.2A I(D),SOT-363VAR
SSM6K211FE(TPL3,F) TOSHIBA

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 		TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,20V V(BR)DSS,3.2A I(D),SOT-363VAR
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