5秒后页面跳转
| 生命周期： | Lifetime Buy | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6 |
| 针数： | 6 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.36 |
| Is Samacsys： | N | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 20 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 1.2 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 1.2 A | 最大漏源导通电阻： | 0.54 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PDSO-F6 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 6 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.5 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SSM6K32TU | TOSHIBA |
获取价格 |
Relay drive, DC/DC converter application |
|
| SSM6K32TU(TE85L) | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,60V V(BR)DSS,2A I(D),TSOP |
|
| SSM6K32TU(TE85L,F) | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,60V V(BR)DSS,2A I(D),TSOP |
|
| SSM6K341NU | TOSHIBA |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor |
|
| SSM6K34TU | TOSHIBA |
获取价格 |
High Current Switching Applications |
|
| SSM6K361NU | TOSHIBA |
获取价格 |
N-ch MOSFET, 100 V, 3.5 A, 0.069 Ω@10V, SOT-1 |
|
| SSM6K361NU,LF | TOSHIBA |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 100V, 0.069ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
|
| SSM6K403TU | TOSHIBA |
获取价格 |
Power Management Switch Applications |
|
| SSM6K403TU(TE85L) | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,20V V(BR)DSS,4.2A I(D),SOT-363VAR |
|
| SSM6K403TU(TE85L,F) | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,20V V(BR)DSS,4.2A I(D),SOT-363VAR |
|
塔塔电子与力积电达成技术转让协议，携手建设印度首座晶圆厂
英特尔震撼发布：128核心256线程的至强6性能核处理器
SK海力士量产12层HBM3E，容量高达36GB
意法半导体传感器驱动Sphere，开启沉浸式电影新时代
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
