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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | UDFN6B , 6 PIN | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.7 | 雪崩能效等级（Eas）： | 28.9 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 60 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 6 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 6 A | 最大漏源导通电阻： | 0.036 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | S-PDSO-N6 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 6 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | SQUARE | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 1.25 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 24 A |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | NO LEAD |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SSM6K34TU | TOSHIBA |
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High Current Switching Applications |
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| SSM6K361NU | TOSHIBA |
获取价格 |
N-ch MOSFET, 100 V, 3.5 A, 0.069 Ω@10V, SOT-1 |
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| SSM6K361NU,LF | TOSHIBA |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 100V, 0.069ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
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| SSM6K403TU | TOSHIBA |
获取价格 |
Power Management Switch Applications |
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| SSM6K403TU(TE85L) | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,20V V(BR)DSS,4.2A I(D),SOT-363VAR |
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| SSM6K403TU(TE85L,F) | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,20V V(BR)DSS,4.2A I(D),SOT-363VAR |
|
| SSM6K403TULF(T | TOSHIBA |
获取价格 |
暂无描述 |
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| SSM6K404TU | TOSHIBA |
获取价格 |
High-Speed Switching Applications |
|
| SSM6K404TU(TE85L) | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,20V V(BR)DSS,3A I(D),SOT-363VAR |
|
| SSM6K404TU(TE85L,F) | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,20V V(BR)DSS,3A I(D),SOT-363VAR |
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