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SSM6K34TU

更新时间： 2024-11-18 03:50:47
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 开关
页数 文件大小 规格书
5页 196K
描述
High Current Switching Applications

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SSM6K34TU 技术参数

生命周期：ObsoleteReach Compliance Code：unknown
风险等级：5.81配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (ID)：3 A
最大漏源导通电阻：0.077 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-F6元件数量：1
端子数量：6工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SSM6K34TU 数据手册

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SSM6K34TU  
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type  
SSM6K34TU  
High Current Switching Applications  
Power Management Switch Applications  
Unit: mm  
•
•
4.5Vdrive  
Low on resistance:  
:R = 77 mΩ (max) (@V  
= 4.5 V)  
= 10 V)  
on  
GS  
GS  
:R = 50 mΩ (max) (@V  
on  
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristics  
Drain-Source voltage  
Symbol  
Rating  
Unit  
V
30  
±20  
3
V
V
DS  
Gate-Source voltage  
V
GSS  
DC  
I
D
Drain current  
A
Pulse  
I
6
DP  
P
D
Drain power dissipation  
Channel temperature  
500  
mW  
(Note 1)  
T
ch  
150  
°C  
°C  
1,2,5,6 : Drain  
3
4
: Gate  
Storage temperature range  
T
stg  
−55~150  
: Source  
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of  
high temperature/current/voltage and the significant change in  
temperature, etc.) may cause this product to decrease in the  
reliability significantly even if the operating conditions (i.e.  
operating temperature/current/voltage, etc.) are within the  
absolute maximum ratings.  
JEDEC  
JEITA  
⎯
⎯
Please design the appropriate reliability upon reviewing the  
Toshiba Semiconductor Reliability Handbook (“Handling  
Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual  
reliability data (i.e. reliability test report and estimated failure  
rate, etc).  
TOSHIBA  
2-2T1D  
Weight: 7.0 mg (typ.)  
Note 1: Mounted on FR4 board.  
2
(25.4 mm × 25.4 mm × 1.6 t, Cu Pad: 645 mm )  
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)  
Characteristics  
Symbol  
Test Condition  
Min  
Typ.  
Max  
Unit  
V
V
V
I
I
= 10 mA, V  
= 10 mA, V  
= 0  
30  
15  
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
6.8  
⎯
⎯
(BR) DSS  
(BR) DSX  
D
D
GS  
GS  
Drain-Source breakdown voltage  
= −20 V  
= 0  
Drain cut-off current  
I
V
V
V
V
= 30 V, V  
10  
μA  
μA  
V
DSS  
GSS  
DS  
GS  
DS  
DS  
GS  
Gate leakage current  
Gate threshold voltage  
Forward transfer admittance  
I
= ±16 V, V  
= 0  
⎯
±10  
2.5  
⎯
DS  
V
= 10 V, I = 1 mA  
1.3  
3.4  
th  
D
⏐Y ⏐  
= 10 V, I = 2 A  
(Note2)  
(Note2)  
(Note2)  
S
fs  
D
I
I
= 2 A, V  
= 4.5 V  
= 10 V  
⎯
58  
77  
D
D
GS  
GS  
Drain-Source ON resistance  
R
mΩ  
DS (ON)  
= 2 A, V  
⎯
⎯
⎯
⎯
―
―
―
⎯
⎯
―
38  
470  
60  
50  
⎯
Input capacitance  
C
C
iss  
V
= 10 V, V  
= 0, f = 1 MHz  
GS  
pF  
Reverse transfer capacitance  
Output capacitance  
Total gate charge  
⎯
DS  
rss  
C
80  
⎯
oss  
Q
g
10  
―
V
V
= 24 V, I = 3.0 A  
DS  
DS  
GS  
Gate−source charge  
Gate−drain charge  
Q
gs  
7.6  
2.4  
8.3  
22  
―
nC  
= 10 V  
Q
gd  
―
Turn-on time  
Turn-off time  
t
t
V
V
= 15 V, I = 2 A,  
⎯
on  
off  
DD  
GS  
D
Switching time  
ns  
V
= 0~10 V, R = 4.7 Ω  
⎯
G
Drain-Source forward voltage  
V
I
= -3A, V = 0V  
GS  
(Note2)  
−0.8  
−1.2  
DSF  
D
Note2: Pulse test  
1
2007-11-01  
12345

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与SSM6K34TU相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SSM6K361NU TOSHIBA

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 		N-ch MOSFET, 100 V, 3.5 A, 0.069 Ω@10V, SOT-1
SSM6K361NU,LF TOSHIBA

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 		Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 100V, 0.069ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
SSM6K403TU TOSHIBA

获取价格

 		Power Management Switch Applications
SSM6K403TU(TE85L) TOSHIBA

获取价格

 		TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,20V V(BR)DSS,4.2A I(D),SOT-363VAR
SSM6K403TU(TE85L,F) TOSHIBA

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SSM6K403TULF(T TOSHIBA

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 		暂无描述
SSM6K404TU TOSHIBA

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SSM6K404TU(TE85L) TOSHIBA

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