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SSM6K514NU

更新时间: 2024-11-22 00:35:19
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东芝 - TOSHIBA /
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9页 242K
描述
Power Management Switches

SSM6K514NU 数据手册

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SSM6K514NU  
MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS-H)  
SSM6K514NU  
1. Applications  
Power Management Switches  
2. Features  
(1) 4.5 V drive  
(2) Low drain-source on-resistance  
: RDS(ON) = 11.2 m(typ.) (@VGS = 4.5 V)  
RDS(ON) = 8.9 m(typ.) (@VGS = 10 V)  
3. Packaging and Pin Assignment  
1, 2, 5, 6: Drain  
3: Gate  
4: Source  
UDFN6B  
Start of commercial production  
2016-05  
©2016 Toshiba Corporation  
2017-06-16  
Rev.3.0  
1

与SSM6K514NU相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SSM6K516NU TOSHIBA

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N-ch MOSFET, 30 V, 6 A, 0.046 Ω@10V, SOT-1220
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SSM6K518NU TOSHIBA

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N-ch MOSFET, 20 V, 6 A, 0.033 Ω@4.5V, SOT-122
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N-ch MOSFET, 12 V, 7.0 A, 0.018 Ω@4.5V, WCSP6
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N-ch MOSFET, 60 V, 6.0 A, 0.036 Ω@10V, TSOP6F
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Small Signal Field-Effect Transistor
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TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N/P Channel MOS Type
SSM6L05FU(TE85L) TOSHIBA

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