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SSM6L13TU_10

更新时间： 2024-02-26 01:50:32
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 晶体晶体管场效应晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 233K
描述
TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon P / N Channel MOS Type

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SSM6L13TU_10 数据手册

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SSM6L13TU  
TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon P / N Channel MOS Type  
SSM6L13TU  
Power Management Switch Applications  
High-Speed Switching Applications  
Unit: mm  
2.1±0.1  
1.7±0.1  
•
•
•
•
•
•
1.8-V drive  
N–ch , P–ch 2–in–1  
Low ON–resistance: Nch  
R
R
R
R
= 235 mΩ (max) (@V  
= 178 mΩ (max) (@V  
= 460 mΩ (max) (@V  
= 306 mΩ (max) (@V  
= 1.8 V)  
= 2.5 V)  
= −1.8 V)  
= −2.5 V)  
DS(ON)  
DS(ON)  
DS(ON)  
DS(ON)  
GS  
GS  
GS  
GS  
: Pch  
1
2
6
5
Q1 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 °C)  
4
3
Characteristic  
Drain-source voltage  
Symbol  
Rating  
Unit  
V
20  
±12  
0.8  
1.6  
V
V
DS  
Gate-source voltage  
V
GSS  
DC  
I
D
Drain current  
A
Pulse  
I
DP  
1.Source1  
2.Gate1  
3.Drain2  
4.Source2  
5.Gate2  
6.Drain1  
Q2 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 °C)  
UF6  
Characteristic  
Drain-source voltage  
Symbol  
Rating  
Unit  
JEDEC  
JEITA  
―
―
V
−20  
± 8  
V
V
DS  
Gate-source voltage  
V
GSS  
DC  
I
−0.8  
−1.6  
D
TOSHIBA  
2-2T1B  
Drain current  
A
Pulse  
I
DP  
Weight: 7 mg (typ.)  
Absolute Maximum Ratings (Q1 , Q2 Common)  
(Ta = 25 °C)  
Characteristic  
Power dissipation  
Symbol  
Rating  
Unit  
P
500  
150  
mW  
°C  
D (Note 1)  
Channel temperature  
T
ch  
Storage temperature range  
T
−55 to 150  
°C  
stg  
Note:  
Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the  
significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly  
even if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute  
maximum ratings.  
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook  
(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test  
report and estimated failure rate, etc).  
Note 1: Mounted on an FR4 board (total dissipation)  
(25.4 mm × 25.4 mm × 1.6 mm, Cu Pad: 645 mm2 )  
Marking  
Equivalent Circuit (top view)  
6
5
4
6
5
4
3
Q1  
KV  
Q2  
1
2
1
2
3
1
2010-07-10  
12345678

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