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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> SSM6K202FE
SSM6K202FE PDF预览

SSM6K202FE

更新时间： 2024-10-02 03:50:47
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 晶体开关小信号场效应晶体管光电二极管
页数 文件大小 规格书
6页 184K
描述
High-Speed Switching Applications

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SSM6K202FE 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.31
Is Samacsys：N配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：2.3 A
最大漏极电流 (ID)：2.3 A最大漏源导通电阻：0.085 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-F6
元件数量：1端子数量：6
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：0.5 W
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SSM6K202FE 数据手册

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SSM6K202FE  
TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type  
SSM6K202FE  
○High-Speed Switching Applications  
○Power Management Switch Applications  
Unit: mm  
•
•
1.8 V drive  
Low ON-resistance:  
R
on  
R
on  
R
on  
= 145 mΩ (max) (@V  
= 101 mΩ (max) (@V  
= 1.8V)  
= 2.5V)  
GS  
GS  
= 85 mΩ (max) (@V  
= 4.0V)  
GS  
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25˚C)  
Characteristic  
Drain–source voltage  
Symbol  
Rating  
Unit  
V
30  
± 12  
2.3  
V
V
DS  
Gate–source voltage  
V
GSS  
DC  
I
D
Drain current  
A
Pulse  
I
4.6  
DP  
P
(Note 1)  
Drain power dissipation  
500  
mW  
D
Channel temperature  
Storage temperature  
T
150  
°C  
°C  
ch  
T
stg  
−55 to 150  
1, 2, 5, 6 : Drain  
3
4
: Gate  
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of  
high temperature/current/voltage and the significant change in  
temperature, etc.) may cause this product to decrease in the  
reliability significantly even if the operating conditions (i.e.  
operating temperature/current/voltage, etc.) are within the  
absolute maximum ratings.  
: Source  
ES6  
JEDEC  
JEITA  
―
―
Please design the appropriate reliability upon reviewing the  
Toshiba Semiconductor Reliability Handbook (“Handling  
Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual  
reliability data (i.e. reliability test report and estimated failure  
rate, etc).  
TOSHIBA  
2-2N1A  
Weight: 3 mg (typ.)  
Note 1: Mounted on an FR4 board  
(25.4 mm × 25.4 mm × 1.6 t, Cu Pad: 645 mm2)  
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)  
Characteristic  
Symbol  
Test Condition  
Min  
30  
18  
⎯
Typ.  
⎯
Max  
⎯
Unit  
V
V
I
I
= 1 mA, V  
= 1 mA, V  
= 0  
(BR) DSS  
(BR) DSX  
D
D
GS  
GS  
Drain–source breakdown voltage  
V
= –12 V  
⎯
⎯
V
Drain cutoff current  
I
V
V
V
V
= 30 V, V  
= 0  
⎯
1
μA  
μA  
V
DSS  
GSS  
DS  
GS  
DS  
DS  
GS  
Gate leakage current  
Gate threshold voltage  
Forward transfer admittance  
I
= ± 12 V, V  
= 0  
⎯
⎯
±1  
1.0  
⎯
DS  
V
= 3 V, I = 1 mA  
0.4  
3.9  
⎯
⎯
th  
D
⏐Y ⏐  
= 3 V, I = 1.5 A  
(Note2)  
(Note2)  
7.8  
66  
S
fs  
D
I
= 1.5 A, V  
= 4.0 V  
85  
D
GS  
Drain–source ON-resistance  
R
mΩ  
DS (ON)  
I
I
= 1.0 A, V  
= 0.5 A, V  
= 2.5 V  
= 1.8 V  
(Note2)  
(Note2)  
⎯
⎯
78  
95  
101  
145  
D
D
GS  
GS  
Input capacitance  
C
V
= 10 V, V  
= 0, f = 1 MHz  
⎯
⎯
⎯
⎯
270  
56  
⎯
⎯
⎯
pF  
pF  
iss  
DS  
GS  
Output capacitance  
C
V
V
= 10 V, V  
= 10 V, V  
= 0, f = 1 MHz  
= 0, f = 1 MHz  
oss  
DS  
DS  
GS  
GS  
pF  
ns  
V
Reverse transfer capacitance  
C
47  
rss  
Turn-on time  
t
t
V
V
= 10 V, I = 2 A,  
20  
31  
⎯
⎯
on  
off  
DD  
GS  
D
Switching time  
= 0 to 2.5 V, R = 4.7 Ω  
G
Turn-off time  
⎯
⎯
Drain–source forward voltage  
V
I
= − 2.3 A, V = 0 V  
GS  
(Note2)  
– 0.85  
– 1.2  
DSF  
D
Note 2: Pulse test  
1
2007-11-01  
123456

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