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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> SSM6K201FE
SSM6K201FE PDF预览

SSM6K201FE

更新时间： 2024-10-02 03:50:47
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 晶体开关晶体管功率场效应晶体管脉冲光电二极管
页数 文件大小 规格书
5页 362K
描述
Power Management Switch Applications High Speed Switching Applications

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SSM6K201FE 技术参数

生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.76配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：20 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：2.3 A
最大漏极电流 (ID)：2.3 A最大漏源导通电阻：0.186 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-F6
元件数量：1端子数量：6
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：500 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：4.6 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子形式：FLAT
端子位置：DUAL晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

SSM6K201FE 数据手册

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SSM6K201FE  
Tentative  
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type  
SSM6K201FE  
Power Management Switch Applications  
High Speed Switching Applications  
Unit: mm  
•
•
1.8 V drive  
Low ON-resistance:  
R
R
R
= 186 mΩ (max) (@V  
= 1.8V)  
= 2.5V)  
= 4.0V)  
on  
on  
on  
GS  
= 119 mΩ (max) (@V  
GS  
=
91 mΩ (max) (@V  
GS  
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristic  
Drain–source voltage  
Symbol  
Rating  
Unit  
V
20  
± 12  
2.3  
V
V
DS  
Gate–source voltage  
V
GSS  
1, 2, 5, 6 : Drain  
3
4
: Gate  
DC  
I
D
Drain current  
A
: Source  
Pulse  
I
4.6  
DP  
ES6  
Drain power dissipation  
Channel temperature  
P
(Note 1)  
500  
W
°C  
°C  
D
T
ch  
150  
JEDEC  
JEITA  
―
―
Storage temperature range  
T
stg  
−55~150  
Note 1: Mounted on an FR4 board.  
TOSHIBA  
2-2N1A  
(25.4 mm × 25.4 mm × 1.6 t, Cu Pad: 645 mm2 )  
Weight: 3 mg (typ.)  
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)  
Characteristic  
Symbol  
Test Condition  
Min  
Typ.  
Max  
Unit  
V
I
I
= 1 mA, V  
= 1 mA, V  
= 0  
20  
10  
⎯
⎯
0.4  
2.8  
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
V
V
(BR) DSS  
(BR) DSX  
D
D
GS  
Drain–source breakdown voltage  
V
= –12 V  
GS  
Drain cutoff current  
I
V
V
V
V
= 20 V, V = 0  
GS  
⎯
1
µA  
µA  
V
DSS  
GSS  
DS  
GS  
DS  
DS  
Gate leakage current  
Gate threshold voltage  
Forward transfer admittance  
I
= ± 12 V, V = 0  
⎯
±1  
1.0  
⎯
DS  
V
= 3 V, I = 1 mA  
⎯
th  
fs  
D
⏐Y  
⏐
= 3 V, I = 1.0 A  
(Note2)  
(Note2)  
(Note2)  
(Note2)  
5.5  
71  
91  
121  
220  
51  
42  
12  
10  
S
D
I
I
I
= 1.0 A, V  
= 0.5 A, V  
= 0.2 A, V  
= 4.0 V  
= 2.5 V  
= 1.8 V  
91  
119  
186  
⎯
D
D
D
GS  
GS  
GS  
Drain–source ON-resistance  
R
mΩ  
DS (ON)  
Input capacitance  
C
iss  
V
V
V
= 10 V, V  
= 10 V, V  
= 10 V, V  
= 0, f = 1 MHz  
= 0, f = 1 MHz  
= 0, f = 1 MHz  
pF  
pF  
pF  
DS  
DS  
DS  
GS  
GS  
GS  
Output capacitance  
C
oss  
⎯
Reverse transfer capacitance  
C
⎯
rss  
on  
Turn-on time  
Switching time  
t
t
V
V
= 10 V, I = 2.0 A,  
⎯
DD  
GS  
D
ns  
V
= 0 to 2.5 V, R = 4.7 Ω  
⎯
Turn-off time  
G
off  
Drain–source forward voltage  
Note2: Pulse test  
V
I
= − 2.3 A, V = 0 V  
GS  
(Note2)  
– 0.85 – 1.20  
DSF  
D
1
2006-04-25  
12345

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