SSM6K06FU

更新时间： 2024-10-01 22:30:35

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东芝 - TOSHIBA		晶体开关小信号场效应晶体管光电二极管
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High Speed Switching Applications

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SSM6K06FU 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	2-2J1D, US6, 6 PIN
针数：	6	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.82	Is Samacsys：	N
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	20 V
最大漏极电流 (ID)：	1.1 A	最大漏源导通电阻：	0.21 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G6
元件数量：	1	端子数量：	6
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

SSM6K06FU 数据手册

SSM6K06FU

TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type

SSM6K06FU

High Speed Switching Applications

Unit: mm

Small package

Low on resistance : R = 160 mΩ max (@V

= 4 V)

= 2.5 V)

: R = 210 mΩ max (@V

Low gate threshold voltage

Maximum Ratings (Ta = 25°C)

Characteristics

Symbol

Rating

Unit

Drain-source voltage

Gate-source voltage

±12

1.1

2.2

GSS

Drain current

Pulse

Drain power dissipation (Ta = 25°C)

300

(Note 1)

Channel temperature

150

°C

JEDEC

JEITA

―

Storage temperature range

-55~150

stg

Note 1: Mounted on FR4 board.

TOSHIBA

2-2J1D

(25.4 mm ´ 25.4 mm ´ 1.6 t, Cu pad: 0.32 mm²´ 6) Figure 1.

Weight: 6.8 mg (typ.)

Marking

Equivalent Circuit (top view)

Handling Precaution

When handling individual devices (which are not yet mounting on a circuit board), be sure that the environment

is protected against electrostatic electricity. Operators should wear anti-static clothing, and containers and other

objects that come into direct contact with devices should be made of anti-static materials.

2003-03-28

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