SSM6J51TU

更新时间： 2024-10-02 03:50:51

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东芝 - TOSHIBA		晶体开关小信号场效应晶体管光电二极管
页数	文件大小	规格书
6页	229K
描述
High Current Switching Applications

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SSM6J51TU 技术参数

生命周期：	Not Recommended	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6
针数：	6	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.28
Is Samacsys：	N	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	12 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	4 A
最大漏极电流 (ID)：	4 A	最大漏源导通电阻：	0.054 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-F6
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	6	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	0.5 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

SSM6J51TU 数据手册

SSM6J51TU

TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (U-MOSⅣ)

SSM6J51TU

High Current Switching Applications

Unit: mm

•

Suitable for high-density mounting due to compact package

Low on-resistance:

= 54 mΩ (max) (@V

= -2.5 V)

= -1.8 V)

= -1.5 V)

85 mΩ (max) (@V

150mΩ(max) (@V

Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)

Characteristics

Drain-Source voltage

Symbol

Rating

Unit

-12

±8

1,2,5,6 : Drain

Gate-Source voltage

GSS

: Gate

: Source

-4

Drain current

Pulse

-8

Drain power dissipation

Channel temperature

P_D(Note 1)

500

150

−55~150

°C

Storage temperature range

stg

°C

JEDEC

JEITA

Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of

high temperature/current/voltage and the significant change in

temperature, etc.) may cause this product to decrease in the

reliability significantly even if the operating conditions (i.e.

operating temperature/current/voltage, etc.) are within the

absolute maximum ratings.

2-2T1D

TOSHIBA

Weight: 7 mg (typ.)

Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook

(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test

report and estimated failure rate, etc).

Note 1: Mounted on an FR4 board.

(25.4 mm × 25.4 mm × 1.6 t, Cu Pad: 645 mm )

Marking

Equivalent Circuit (top view)

KPC

Handling Precaution

When handling individual devices (which are not yet mounted on a circuit board), ensure that the environment is

protected against static electricity. Operators should wear anti-static clothing, and containers and other objects

that come into direct contact with devices should be made of anti-static materials.

2007-11-01

12 3 4 5 6

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与SSM6J51TU相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SSM6J51TU(T5LMAA,F	TOSHIBA	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 4A I(D), 12V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-O
SSM6J51TU(TE85L)	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,12V V(BR)DSS,4A I(D),SOT-363VAR
SSM6J51TU(TE85L,F)	TOSHIBA	获取价格	MOSFET P-CH 12V 4A UF6
SSM6J53FE	TOSHIBA	获取价格	High-Speed Switching Applications
SSM6J53FE(TE85L)	TOSHIBA	获取价格	SSM6J53FE(TE85L)
SSM6J53FE(TE85L,F)	TOSHIBA	获取价格	MOSFET P-CH 20V 1.8A ES6
SSM6J53FE(TPL3)	TOSHIBA	获取价格	SSM6J53FE(TPL3)
SSM6J53FE(TPL3,F)	TOSHIBA	获取价格	SSM6J53FE(TPL3,F)
SSM6J771G	TOSHIBA	获取价格	P-ch MOSFET, -20 V, -5.0 A, 0.035 Ω@4.5V, WCS
SSM6J801R	TOSHIBA	获取价格	P-ch MOSFET, -20 V, -6.0 A, 0.0325 Ω@4.5V, TS

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