是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 包装说明: | LEAD FREE, 2-2N1A, ES6, 6 PIN |
针数: | 6 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.31 |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 20 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 1.8 A | 最大漏极电流 (ID): | 1.8 A |
最大漏源导通电阻: | 0.204 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码: | R-PDSO-F6 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 6 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | P-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 0.5 W | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | Other Transistors | 表面贴装: | YES |
端子形式: | FLAT | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
SSM6J53FE(TE85L) | TOSHIBA |
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SSM6J53FE(TE85L) | |
SSM6J53FE(TE85L,F) | TOSHIBA |
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MOSFET P-CH 20V 1.8A ES6 | |
SSM6J53FE(TPL3) | TOSHIBA |
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SSM6J53FE(TPL3) | |
SSM6J53FE(TPL3,F) | TOSHIBA |
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SSM6J53FE(TPL3,F) | |
SSM6J771G | TOSHIBA |
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P-ch MOSFET, -20 V, -5.0 A, 0.035 Ω@4.5V, WCS | |
SSM6J801R | TOSHIBA |
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P-ch MOSFET, -20 V, -6.0 A, 0.0325 Ω@4.5V, TS | |
SSM6J808R | TOSHIBA |
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P-ch MOSFET, -40 V, -7 A, 0.035 Ω@10V, TSOP6F | |
SSM6K06FU | TOSHIBA |
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High Speed Switching Applications | |
SSM6K06FU(TE85L) | TOSHIBA |
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SSM6K06FU(TE85L) | |
SSM6K06FU_07 | TOSHIBA |
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High Speed Switching Applications |