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SSM6J51TU(TE85L)

更新时间： 2024-10-02 15:52:55
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA /
页数 文件大小 规格书
6页 172K
描述
TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,12V V(BR)DSS,4A I(D),SOT-363VAR

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SSM6J51TU(TE85L) 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Active
包装说明：,Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.69配置：Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：4 AFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
极性/信道类型：P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：0.5 W
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
Base Number Matches：1

SSM6J51TU(TE85L) 数据手册

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SSM6J51TU  
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (U-MOSⅣ)  
SSM6J51TU  
High Current Switching Applications  
Unit: mm  
•
•
Suitable for high-density mounting due to compact package  
Low on-resistance:  
R
on  
= 54 mΩ (max) (@V  
= -2.5 V)  
= -1.8 V)  
= -1.5 V)  
GS  
85 mΩ (max) (@V  
GS  
150mΩ(max) (@V  
GS  
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristics  
Drain-Source voltage  
Symbol  
Rating  
Unit  
V
-12  
±8  
V
V
DS  
1,2,5,6 : Drain  
Gate-Source voltage  
V
GSS  
3
4
: Gate  
: Source  
DC  
I
-4  
D
Drain current  
A
Pulse  
I
-8  
DP  
Drain power dissipation  
Channel temperature  
PD (Note 1)  
500  
150  
−55~150  
mW  
°C  
T
ch  
JEDEC  
-
-
Storage temperature range  
T
stg  
°C  
JEITA  
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of  
high temperature/current/voltage and the significant change in  
temperature, etc.) may cause this product to decrease in the  
reliability significantly even if the operating conditions (i.e.  
2-2T1D  
TOSHIBA  
Weight: 7 mg (typ.)  
operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum ratings.  
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook  
(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test  
report and estimated failure rate, etc).  
Note 1: Mounted on an FR4 board.  
2
(25.4 mm × 25.4 mm × 1.6 t, Cu Pad: 645 mm )  
Marking  
Equivalent Circuit (top view)  
6
5
KPC  
2
4
6
1
5
4
3
1
3
2
Handling Precaution  
When handling individual devices (which are not yet mounted on a circuit board), ensure that the environment is  
protected against static electricity. Operators should wear anti-static clothing, and containers and other objects  
that come into direct contact with devices should be made of anti-static materials.  
1
2007-11-01  
123456

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SSM6J51TU(TE85L,F) TOSHIBA

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 		MOSFET P-CH 12V 4A UF6
SSM6J53FE TOSHIBA

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SSM6J771G TOSHIBA

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