生命周期: | Obsolete | 包装说明: | 2-2J1D, US6, 6 PIN |
针数: | 6 | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.82 | 其他特性: | LOW THRESHOLD |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 20 V |
最大漏极电流 (ID): | 0.65 A | 最大漏源导通电阻: | 0.7 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码: | R-PDSO-G6 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 6 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
极性/信道类型: | P-CHANNEL | 认证状态: | Not Qualified |
表面贴装: | YES | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | DUAL | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
SSM6J06FU(TE85L,F) | TOSHIBA |
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TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,20V V(BR)DSS,650MA I(D),SOT-323VAR | |
SSM6J06FU_07 | TOSHIBA |
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Power Management Switch | |
SSM6J07FU | TOSHIBA |
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TOSHIBA Transistor Silicon P Channel MOS Type | |
SSM6J07FU(TE85L) | TOSHIBA |
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SSM6J07FU(TE85L) | |
SSM6J07FU(TE85L,F) | TOSHIBA |
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SSM6J07FU(TE85L,F) | |
SSM6J07FU_07 | TOSHIBA |
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Power Management Switch | |
SSM6J08FU | TOSHIBA |
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TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (U-MOSII) | |
SSM6J08FU_07 | TOSHIBA |
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Power Management Switch | |
SSM6J205FE | TOSHIBA |
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High-Speed Switching Applications | |
SSM6J205FE(TE85L,F) | TOSHIBA |
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SSM6J205FE(TE85L,F) |