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SSM6J212FE PDF预览

SSM6J212FE

更新时间： 2024-11-13 06:14:15
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
6页 190K
描述
Field-Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type (U-MOSⅥ)

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SSM6J212FE 技术参数

生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6
针数：6Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.29
Is Samacsys：N配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：20 V最大漏极电流 (ID)：4 A
最大漏源导通电阻：0.0407 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-F6元件数量：1
端子数量：6工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：P-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SSM6J212FE 数据手册

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SSM6J212FE  
TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type (U-MOSⅥ)  
SSM6J212FE  
○Power Management Switch Applications  
Unit: mm  
•
•
1.5-V drive  
Low ON-resistance:  
R
R
= 94.0 mΩ (max) (@V  
= 65.4 mΩ (max) (@V  
= -1.5 V)  
= -1.8 V)  
DS(ON)  
GS  
DS(ON)  
GS  
R
R
= 49.0 mΩ (max) (@V  
= 40.7 mΩ (max) (@V  
= -2.5 V)  
= -4.5 V)  
DS(ON)  
GS  
DS(ON)  
GS  
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristic  
Drain-source voltage  
Symbol  
Rating  
-20  
Unit  
V
V
DSS  
V
GSS  
Gate-source voltage  
± 8  
V
I
I
(Note 1)  
(Note 1)  
(Note 2)  
t = 10s  
DC  
-4.0  
D
Drain current  
A
Pulse  
-8.0  
DP  
P
1,2,5,6 ： Drain  
500  
D
Drain power dissipation  
mW  
3
4
： Gate  
700  
： Source  
ES6  
Channel temperature  
T
150  
°C  
°C  
ch  
Storage temperature range  
T
stg  
−55 to 150  
JEDEC  
JEITA  
―
―
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high  
temperature/current/voltage and the significant change in  
temperature, etc.) may cause this product to decrease in the  
reliability significantly even if the operating conditions (i.e.  
operating temperature/current/voltage, etc.) are within the  
absolute maximum ratings.  
TOSHIBA  
2-2N1J  
Weight : 3mg ( typ. )  
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook  
(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test  
report and estimated failure rate, etc).  
Note 1: The channel temperature should not exceed 150°C during use.  
Note 2: Mounted on a FR4 board.  
(25.4 mm × 25.4 mm × 1.6 mm, Cu Pad: 645 mm2)  
Marking (Top View)  
Equivalent Circuit  
6
5
4
6
5
4
PQ  
1
2
3
1
2
3
1
2009-12-09  
123456

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SSM6J212FE,LF(CA TOSHIBA

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