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SSM6J401TU(TE85L) PDF预览

SSM6J401TU(TE85L)

更新时间： 2024-11-14 04:34:47
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA /
页数 文件大小 规格书
6页 197K
描述
TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,30V V(BR)DSS,2.5A I(D),SOT-363VAR

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SSM6J401TU(TE85L) 数据手册

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SSM6J401TU  
TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type  
SSM6J401TU  
○DC/DC Converter Application  
○High-Speed Switching Applications  
unit: mm  
2.1±0.1  
•
•
4.0V drive  
1.7±0.1  
Low ON-resistance : R  
= 145mΩ (max) (@V  
= −4 V)  
DS(ON)  
DS(ON)  
GS  
: R  
=
73mΩ (max) (@V  
= −10 V)  
GS  
1
2
3
6
5
4
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25˚C)  
Characteristic  
Drain–source voltage  
Symbol  
Rating  
Unit  
V
V
−30  
±20  
V
V
DSS  
Gate–source voltage  
GSS  
DC  
I
−2.5  
D
Drain current  
A
Pulse  
I
−5.0  
DP  
1, 2, 5, 6 : Drain  
Drain power dissipation  
Channel temperature  
Storage temperature  
P
(Note1)  
500  
mW  
°C  
D
3
4
: Gate  
T
150  
ch  
: Source  
UF6  
T
stg  
−55~150  
°C  
JEDEC  
JEITA  
―
―
Note 1: Mounted on an FR4 board  
(25.4 mm × 25.4 mm × 1.6 t, Cu Pad: 645 mm2)  
TOSHIBA  
2-2T1D  
Weight: 7.0 mg (typ.)  
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)  
Characteristic  
Symbol  
Test Condition  
Min  
Typ.  
Max  
Unit  
V
I
I
= −1 mA, V  
= −1 mA, V  
= 0 V  
−30  
−15  
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
(BR) DSS  
(BR) DSX  
D
D
GS  
GS  
Drain–source breakdown voltage  
V
V
= 20 V  
Drain cutoff current  
I
V
V
V
V
= −30 V, V  
= ±16 V, V  
= 0 V  
= 0 V  
⎯
−10  
±1  
−2.6  
⎯
μA  
μA  
V
DSS  
DS  
GS  
DS  
DS  
GS  
DS  
Gate leakage current  
Gate threshold voltage  
Forward transfer admittance  
I
⎯
⎯
GSS  
V
= −5 V, I = −1 mA  
−1.2  
3.1  
⎯
⎯
th  
D
|Y |  
fs  
= −5 V, I = −2.0 A  
(Note 2)  
(Note 2)  
(Note 2)  
6.2  
53  
S
D
I
I
= −2.0 A, V  
= −10 V  
= −4 V  
73  
145  
⎯
D
D
GS  
GS  
Drain–source ON-resistance  
R
mΩ  
DS (ON)  
= −1.5 A, V  
⎯
85  
Input capacitance  
C
C
⎯
730  
110  
90  
iss  
V
= −15 V, V  
= 0 V, f = 1 MHz  
GS  
pF  
Output capacitance  
Reverse transfer capacitance  
Total Gate Charge  
⎯
⎯
DS  
oss  
C
⎯
⎯
rss  
Qg  
⎯
16  
⎯
V
V
= −15V, I = −2.5 A  
DS  
GS  
D
Qgs  
Qgd  
⎯
12.8  
3.2  
33  
⎯
nC  
Gate-Source Charge  
Gate-Drain Charge  
= −10 V  
⎯
⎯
t
⎯
⎯
V
V
= −15 V, I = −2.0 A  
Turn-on time  
on  
DD  
GS  
D
Switching time  
ns  
V
= 0~−4 V, R = 10 Ω  
t
⎯
27  
⎯
G
Turn-off time  
off  
Drain–source forward voltage  
V
I
= 2.5 A, V = 0 V  
GS  
(Note 2)  
⎯
0.8  
1.2  
DSF  
D
Note 2: Pulse test  
1
2007-05-29  
123456

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SSM6J401TU(TE85L,F) TOSHIBA

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 		TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,30V V(BR)DSS,2.5A I(D),SOT-363VAR
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