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SSM6J511NU

更新时间： 2023-12-06 20:13:20

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SSM6J511NU 数据手册

SSM6J511NU

MOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOS)

SSM6J511NU

1. Applications

•

Power Management Switches

2. Features

(1) 1.8 V gate drive voltage.

(2) Low drain-source on-resistance

: RDS(ON) = 13.5 mΩ (max) (@VGS = -2.5 V)

RDS(ON) = 10 mΩ (max) (@VGS = -4.5 V)

3. Packaging and Pin Assignment

1.2.5.6 Drain

3. Gate

4. Source

UDFN6B

Start of commercial production

2015-12

2017-04-18

Rev.3.0

12 3 4 5 6 7...9

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SSM6J512NU	TOSHIBA	获取价格	P-ch MOSFET, -12 V, -10 A, 0.0187 Ω@4.5V, SOT
SSM6J51TU	TOSHIBA	获取价格	High Current Switching Applications
SSM6J51TU(T5LMAA,F	TOSHIBA	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 4A I(D), 12V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-O
SSM6J51TU(TE85L)	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,12V V(BR)DSS,4A I(D),SOT-363VAR
SSM6J51TU(TE85L,F)	TOSHIBA	获取价格	MOSFET P-CH 12V 4A UF6
SSM6J53FE	TOSHIBA	获取价格	High-Speed Switching Applications
SSM6J53FE(TE85L)	TOSHIBA	获取价格	SSM6J53FE(TE85L)
SSM6J53FE(TE85L,F)	TOSHIBA	获取价格	MOSFET P-CH 20V 1.8A ES6
SSM6J53FE(TPL3)	TOSHIBA	获取价格	SSM6J53FE(TPL3)
SSM6J53FE(TPL3,F)	TOSHIBA	获取价格	SSM6J53FE(TPL3,F)