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SSM6J512NU

更新时间： 2024-10-03 14:57:35

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SSM6J512NU 技术参数

SSM6J512NU

MOSFETs Silicon P-Channel MOS

SSM6J512NU

1. Applications

•

Power Management Switches

2. Features

(1) 1.8 V gate drive voltage.

(2) Low drain-source on-resistance

: RDS(ON) = 24.0 mΩ (typ.) (@VGS = -1.8 V)

RDS(ON) = 18.3 mΩ (typ.) (@VGS = -2.5 V)

RDS(ON) = 14.3 mΩ (typ.) (@VGS = -4.5 V)

3. Packaging and Pin Assignment

1,2,5,6: Drain

3: Gate

4: Source

UDFN6B

Start of commercial production

2015-07

2021-09-17

Rev.2.0

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

12 3 4 5 6 7...9

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SSM6J51TU	TOSHIBA	获取价格	High Current Switching Applications
SSM6J51TU(T5LMAA,F	TOSHIBA	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 4A I(D), 12V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-O
SSM6J51TU(TE85L)	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,12V V(BR)DSS,4A I(D),SOT-363VAR
SSM6J51TU(TE85L,F)	TOSHIBA	获取价格	MOSFET P-CH 12V 4A UF6
SSM6J53FE	TOSHIBA	获取价格	High-Speed Switching Applications
SSM6J53FE(TE85L)	TOSHIBA	获取价格	SSM6J53FE(TE85L)
SSM6J53FE(TE85L,F)	TOSHIBA	获取价格	MOSFET P-CH 20V 1.8A ES6
SSM6J53FE(TPL3)	TOSHIBA	获取价格	SSM6J53FE(TPL3)
SSM6J53FE(TPL3,F)	TOSHIBA	获取价格	SSM6J53FE(TPL3,F)
SSM6J771G	TOSHIBA	获取价格	P-ch MOSFET, -20 V, -5.0 A, 0.035 Ω@4.5V, WCS