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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6 | 针数： | 6 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.74 | Is Samacsys： | N |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 30 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 2.1 A | 最大漏源导通电阻： | 0.216 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PDSO-F6 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 6 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SSM6J412TU | TOSHIBA |
获取价格 |
Power Management Switch Applications |
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| SSM6J412TU,LF | TOSHIBA |
获取价格 |
暂无描述 |
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| SSM6J414TU | TOSHIBA |
获取价格 |
Power Management Switches |
|
| SSM6J414TU(TE85L,F) | TOSHIBA |
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TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,20V V(BR)DSS,6A I(D),SOT-363VAR |
|
| SSM6J414TU,LF(T | TOSHIBA |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor |
|
| SSM6J414TULF(T | TOSHIBA |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor |
|
| SSM6J422TU | TOSHIBA |
获取价格 |
P-ch MOSFET, -20 V, -4.0 A, 0.0427 Ω@4.5V, SO |
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| SSM6J424TU | TOSHIBA |
获取价格 |
P-ch MOSFET, -20 V, -6.0 A, 0.0225 Ω@4.5V, SO |
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| SSM6J501NU | TOSHIBA |
获取价格 |
Power Management Switch Applications |
|
| SSM6J502NU | TOSHIBA |
获取价格 |
Power Management Switch Applications |
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