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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.76 | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 12 V | 最大漏极电流 (ID)： | 4.8 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.032 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-F6 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 6 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| SSM6J21TU | TOSHIBA | High Current Switching Applications |
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| SSM6J23FE | TOSHIBA | High Current Switching Applications |
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| SSM6J23FE(TE85L) | TOSHIBA | SSM6J23FE(TE85L) |
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| SSM6J23FE(TE85L,F) | TOSHIBA | SSM6J23FE(TE85L,F) |
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| SSM6J23FE(TPL3) | TOSHIBA | SSM6J23FE(TPL3) |
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| SSM6J23FE(TPL3,F) | TOSHIBA | SSM6J23FE(TPL3,F) |
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