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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6 | 针数： | 6 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.88 | Is Samacsys： | N |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 12 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 3 A | 最大漏极电流 (ID)： | 3 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.088 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-F6 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 6 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.5 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SSM6J23FE | TOSHIBA |
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High Current Switching Applications |
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| SSM6J23FE(TE85L) | TOSHIBA |
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SSM6J23FE(TE85L) |
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| SSM6J23FE(TE85L,F) | TOSHIBA |
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SSM6J23FE(TE85L,F) |
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| SSM6J23FE(TPL3) | TOSHIBA |
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SSM6J23FE(TPL3) |
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| SSM6J23FE(TPL3,F) | TOSHIBA |
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SSM6J23FE(TPL3,F) |
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| SSM6J25FE | TOSHIBA |
获取价格 |
High Speed Switching Applications |
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| SSM6J25FE(TE85L,F) | TOSHIBA |
获取价格 |
SSM6J25FE(TE85L,F) |
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| SSM6J25FE(TPL3) | TOSHIBA |
获取价格 |
SSM6J25FE(TPL3) |
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| SSM6J26FE | TOSHIBA |
获取价格 |
High Speed Switching Applications |
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| SSM6J26FE(TE85L) | TOSHIBA |
获取价格 |
SSM6J26FE(TE85L) |
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