5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6 | 针数： | 6 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.73 | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 20 V | 最大漏极电流 (ID)： | 2.6 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.103 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-F6 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 6 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SSM6J214FE | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 3600 mA, 30 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, 2-2N1J, ES6, 6 PIN, FET Gen |
|
| SSM6J215FE | TOSHIBA |
获取价格 |
Small-Signal MOSFETs(Single) |
|
| SSM6J216FE | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR SMALL SIGNAL, FET, FET General Purpose Small Signal |
|
| SSM6J21TU | TOSHIBA |
获取价格 |
High Current Switching Applications |
|
| SSM6J23FE | TOSHIBA |
获取价格 |
High Current Switching Applications |
|
| SSM6J23FE(TE85L) | TOSHIBA |
获取价格 |
SSM6J23FE(TE85L) |
|
| SSM6J23FE(TE85L,F) | TOSHIBA |
获取价格 |
SSM6J23FE(TE85L,F) |
|
| SSM6J23FE(TPL3) | TOSHIBA |
获取价格 |
SSM6J23FE(TPL3) |
|
| SSM6J23FE(TPL3,F) | TOSHIBA |
获取价格 |
SSM6J23FE(TPL3,F) |
|
| SSM6J25FE | TOSHIBA |
获取价格 |
High Speed Switching Applications |
|
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
AMD宣布全球裁员约1000人，调整战略聚焦增长
英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
