SSM6J07FU

更新时间： 2024-09-24 22:20:39

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东芝 - TOSHIBA		晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
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5页	140K
描述
TOSHIBA Transistor Silicon P Channel MOS Type

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SSM6J07FU 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	US6, 2-2J1D, 6 PIN
针数：	6	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.81	Is Samacsys：	N
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (ID)：	0.8 A	最大漏源导通电阻：	1.6 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G6
元件数量：	1	端子数量：	6
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	P-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

SSM6J07FU 数据手册

Figure 1:

25.4 mm

´ 25.4 mm

´ 1.6 t,

´ 6

(top view)

Cu Pad: 0.32 mm²

SSM6J07FU

TOSHIBA Transistor Silicon P Channel MOS Type

SSM6J07FU

Power Management Switch

High Speed Switching Applications

Unit: mm

Small package

Low on resistance

: R = 450 mΩ (max) (V

: R = 800 mΩ (max) (V

= −10 V)

= −4 V)

Maximum Ratings (Ta = 25°C)

Characteristics

Symbol

Rating

Unit

Drain-source voltage

Gate-source voltage

-30

±20

GSS

-0.8

Drain current

Pulse

-1.6

Drain power dissipation

Channel temperature

(Note1)

300

°C

150

JEDEC

JEITA

―

Storage temperature range

-55~150

°C

stg

Note 1: Mounted on FR4 board

TOSHIBA

2-2J1D

(25.4 mm ´ 25.4 mm ´ 1.6 t, Cu Pad: 0.32 mm ´ 6)

Weight: 6.8 mg (typ.)

Marking

Equivalent Circuit

K D F

0.4 mm

2002-01-24

12 3 4 5

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