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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> SSM6J206FE
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SSM6J206FE

更新时间： 2024-02-04 12:10:04
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 晶体开关小信号场效应晶体管光电二极管
页数 文件大小 规格书
5页 204K
描述
Power Management Switch Applications

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SSM6J206FE 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6
针数：6Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.36
Is Samacsys：N配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：20 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：2 A
最大漏极电流 (ID)：2 A最大漏源导通电阻：0.13 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-F6
元件数量：1端子数量：6
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：0.5 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SSM6J206FE 数据手册

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SSM6J206FE  
TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type  
SSM6J206FE  
○Power Management Switch Applications  
Unit: mm  
○High-Speed Switching Applications  
•
•
1.8 V drive  
Low ON-resistance: Ron = 320 mΩ (max) (@VGS = -1.8 V)  
Ron = 186 mΩ (max) (@VGS = -2.5 V)  
Ron = 130 mΩ (max) (@VGS = -4.0 V)  
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25˚C)  
Characteristic  
Drain–source voltage  
Symbol  
Rating  
Unit  
V
-20  
± 8  
-2  
V
V
DS  
Gate–source voltage  
V
GSS  
DC  
I
D
Drain current  
A
Pulse  
I
-4  
DP  
P
(Note 1)  
Drain power dissipation  
D
500  
mW  
Channel temperature  
Storage temperature  
T
T
150  
°C  
°C  
ch  
1, 2, 5, 6 : Drain  
−55 to 150  
3
4
: Gate  
stg  
: Source  
Note:  
Using continuously under heavy loads (e.g. the application of  
high temperature/current/voltage and the significant change in  
temperature, etc.) may cause this product to decrease in the  
reliability significantly even if the operating conditions (i.e.  
operating temperature/current/voltage, etc.) are within the  
absolute maximum ratings.  
ES6  
JEDEC  
JEITA  
―
―
TOSHIBA  
2-2N1A  
Please design the appropriate reliability upon reviewing the  
Toshiba Semiconductor Reliability Handbook (“Handling  
Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual  
reliability data (i.e. reliability test report and estimated failure rate, etc).  
Weight: 3 mg (typ.)  
Note 1: Mounted on an FR4 board  
(25.4 mm × 25.4 mm × 1.6 t, Cu Pad: 645 mm2)  
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)  
Characteristic  
Symbol  
Test Condition  
Min  
Typ.  
Max  
Unit  
V
V
I
I
= -1 mA, V  
= -1 mA, V  
= 0  
-20  
-12  
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
(BR) DSS  
(BR) DSX  
D
D
GS  
GS  
Drain–source breakdown voltage  
V
= +8 V  
Drain cutoff current  
I
V
V
V
V
= -20 V, V  
= 0  
-10  
μA  
μA  
V
DSS  
DS  
GS  
DS  
DS  
GS  
= 0  
Gate leakage current  
Gate threshold voltage  
Forward transfer admittance  
I
= ±8 V, V  
⎯
-0.3  
2.4  
⎯
⎯
⎯
4
±1  
-1.0  
⎯
GSS  
DS  
V
= -3 V, I = -1 mA  
th  
D
⏐Y ⏐  
= -3 V, I = -1 A  
(Note 2)  
(Note 2)  
S
fs  
D
I
= -1.0 A, V  
= -4 V  
91  
130  
D
GS  
Drain–source ON-resistance  
R
mΩ  
DS (ON)  
I
I
= -0.5 A, V  
= -0.2 A, V  
= -2.5 V  
= -1.8 V  
(Note 2)  
(Note 2)  
⎯
⎯
130  
180  
186  
320  
D
D
GS  
GS  
Input capacitance  
C
V
V
V
= -10 V, V  
= -10 V, V  
= -10 V, V  
= 0, f = 1 MHz  
= 0, f = 1 MHz  
= 0, f = 1 MHz  
⎯
⎯
⎯
⎯
335  
70  
⎯
⎯
⎯
pF  
pF  
iss  
DS  
DS  
DS  
GS  
GS  
GS  
Output capacitance  
C
oss  
pF  
ns  
V
Reverse transfer capacitance  
C
56  
rss  
Turn-on time  
t
t
V
V
= -10 V, I = -1 A,  
20  
20  
⎯
⎯
on  
DD  
GS  
D
Switching time  
= 0 to -2.5 V, R = 4.7 Ω  
G
Turn-off time  
⎯
⎯
off  
Drain–source forward voltage  
V
I
= 2 A, V = 0  
GS  
(Note 2)  
0.85  
1.2  
DSF  
D
Note 2: Pulse test  
1
2007-11-01  
12345

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
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