5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.71 | 主体高度： | 23 mm |
| 主体长度或直径： | 12 mm | 电路保护类型： | ELECTRIC FUSE |
| 焦耳积分标称： | 293 J | 安装特点： | INLINE/HOLDER |
| 物理尺寸： | 12mm x 23mm | 额定分断能力： | 33000 A |
| 额定电流： | 20 A | 额定电压（交流）： | 240 V |
| 参考标准： | BS; IEC | 表面贴装： | NO |
| 端子形状： | TAB/BLADE | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SSD2002 | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 25V, 0.1ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, |
|
| SSD2003 | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 25V, 0.1ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
|
| SSD2004 | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 20V, 0.125ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, |
|
| SSD2005 | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2.3A I(D), 25V, 0.25ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Met |
|
| SSD2007 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Dual N-CHANNEL POWER MOSFET |
|
| SSD2007A | FAIRCHILD |
获取价格 |
Dual N-CHANNEL POWER MOSFET |
|
| SSD2007ASTF | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 50V, 0.3ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal- |
|
| SSD2007ATF | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 50V, 0.3ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal- |
|
| SSD2008A | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | PAIR | COMPLEMENTARY | 30V V(BR)DSS | 3.5A I(D) | SO |
|
| SSD2008ATF | FAIRCHILD |
获取价格 |
Transistor, |
|
SK海力士量产12层HBM3E，容量高达36GB
意法半导体传感器驱动Sphere，开启沉浸式电影新时代
摩尔斯微电子在美国约书亚树国家公园测试 Wi-Fi HaLow
贸泽上架Tallysman TW5386智能GNSS天线
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
