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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | TO-220AB |
| 包装说明： | TO-220, 3 PIN | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 0.86 |
| 其他特性： | AVALANCHE RATED | 雪崩能效等级（Eas）： | 670 mJ |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 800 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 17 A | 最大漏极电流 (ID)： | 17 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.29 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 208 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 51 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| SPA17N80C3 | INFINEON |
类似代替  |
Cool MOS⑩ Power Transistor |
|
| STP15N80K5 | STMICROELECTRONICS |
功能相似 |
N沟道800 V、0.3 Ohm典型值、14 A MDmesh K5功率MOSFET，TO |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SPP17N80C3_07 | INFINEON |
获取价格 |
New revolutionary high voltage technology Worldwide best RDS(on) in TO 220 Ultra low gate |
|
| SPP17N80C3_08 | INFINEON |
获取价格 |
CoolMOS Power Transistor Features New revolutionary high voltage technology |
|
| SPP18P06P | INFINEON |
获取价格 |
SIPMOS Power-Transistor |
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| SPP18P06P H | INFINEON |
获取价格 |
Infineon’s highly innovative OptiMOS™ familie |
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| SPP18P06P_09 | INFINEON |
获取价格 |
SIPMOS® Power-Transistor Features P-Channel E |
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| SPP18P06PG | INFINEON |
获取价格 |
SIPMOS® Power-Transistor Features P-Channel E |
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| SPP18P06PG_10 | INFINEON |
获取价格 |
SIPMOS Power-Transistor |
|
| SPP18P06PH | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 18.7A I(D), 60V, 0.13ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me |
|
| SPP18P06PHXK | INFINEON |
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暂无描述 |
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| SPP18P06PHXKSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 18.7A I(D), 60V, 0.13ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me |
|
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